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半导体研究所 [26]
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期刊论文 [24]
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Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143
Liu B
;
Zhang Z
;
Zhang R
;
Fu DY
;
Xie ZL
;
Lu H
;
Schaff WJ
;
Song LH
;
Cui YC
;
Hua XM
;
Han P
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:196/52
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提交时间:2010/04/28
BAND-GAP
TEMPERATURE-DEPENDENCE
ENERGY
SEMICONDUCTORS
SPECTRA
EPITAXY
GROWTH
LAYERS
Mechanism on Effect of Surface Plasmons Coupling with InGaN/GaN Quantum Wells: Enhancement and Suppression of Photoluminescence Intensity
期刊论文
applied physics express, 2010, 卷号: 3, 期号: 7, 页码: art. no. 072001
Huang ZL (Huang Zengli)
;
Wang JF (Wang Jianfeng)
;
Liu ZH (Liu Zhenghui)
;
Xu K (Xu Ke)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Cao B (Cao Bing)
;
Han Q (Han Qin)
;
Zhang GJ (Zhang Guiju)
;
Wang CH (Wang Chinhua)
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/17
LIGHT-EMITTING-DIODES
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
Li Y
;
Chen P
;
Jiang DS
;
Wang H
;
Wang ZG
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2010/03/08
InN
dislocation
carrier origination
localization
Design and Fabrication of AlGaN-Based Resonant-Cavity-Enhanced p-i-n UV PDs
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2009, 卷号: 45, 期号: 5-6, 页码: 575-578
作者:
Ji XL
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/03/08
AlGaN
distributed Bragg reflector (DBR)
resonant-cavity-enhanced (RCE)
transfer-matrix-approach (TMA)
ultraviolet (UV) photodetector (PD)
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
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浏览/下载:48/2
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN
期刊论文
solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162
Zhang, Z
;
Zhang, R
;
Liu, B
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Han, R
;
Lu, H
;
Zheng, YD
;
Chen, YH
;
Tang, CG
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:67/2
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提交时间:2010/03/08
InN
photogalvanic
inter-band transition
Photoluminescence of te isoelectronic centers in zns : te under hydrostatic pressure
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2004, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 38-42
作者:
Fang, ZL
;
Su, FH
;
Ma, BS
;
Ding, K
;
Han, HX
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Hydrostatic pressure
Te isoelectronic centers
Zns : te
Photoluminescence of Te isoelectronic centers in ZnS : Te under hydrostatic pressure
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2004, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 38-42
Fang, ZL
;
Su, FH
;
Ma, BS
;
Ding, K
;
Han, HX
;
Li, GH
;
Sou, IK
;
Ge, WK
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浏览/下载:101/22
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提交时间:2010/03/09
photoluminescence
Pressure behavior of te isoelectronic centers in s-rich zns1-xtex alloy
期刊论文
Physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406
作者:
Li, GH
;
Fang, ZL
;
Su, FH
;
Ma, BS
;
Ding, K
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Study on the raman spectra of gap nanorods synthesized within carbon nanotube templates
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2003, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 1-7
作者:
Ma, BS
;
Fang, ZL
;
Su, FH
;
Ding, K
;
Han, HX
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Gap
Nanorods
Raman spectra
Polarization properties
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