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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2002     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Pressure behavior of te isoelectronic centers in zns : te 期刊论文 Applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 17, 页码: 3170-3172 作者:  Fang, ZL;  Su, FH;  Ma, BS;  Ding, K;  Han, HX 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence from zns1-xtex alloys under hydrostatic pressure 期刊论文 Physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 8, 页码: 6 作者:  Fang, ZL;  Li, GH;  Liu, NZ;  Zhu, ZM;  Han, HX 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence of te isoelectronic traps in znsete/znse quantum wells under hydrostatic pressure 期刊论文 Journal of infrared and millimeter waves, 2002, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 28-32 作者:  Fang, ZL;  Li, GH;  Han, HX;  Ding, K;  Chen, Y 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Te isoelectronic traps  Pressure  Photoluminescence   Photoluminescence from ZnS1-xTex alloys under hydrostatic pressure 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 8, 页码: art.no.085203 Fang ZL; Li GH; Liu NZ; Zhu ZM; Han HX; Ding K; Ge WK; Sou IK 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 ZNS-TE  ABSORPTION-EDGE  MIXED-CRYSTALS  ZINC-SULFIDE  THIN-FILMS  TRANSITION  EXCITONS  CENTERS  STRAINS  BAND   Photoluminescence of Te isoelectronic traps in ZnSeTe/ZnSe quantum wells under hydrostatic pressure 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2002, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 28-32 Fang ZL; Li GH; Han HX; Ding K; Chen Y; Peng CL; Yuan SX 收藏  |  浏览/下载：80/6  |  提交时间：2010/08/12 Te isoelectronic traps  pressure  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ZNSE1-XTEX  ALLOYS  EMISSION  CENTERS  BEHAVIOR   Pressure behavior of Te isoelectronic centers in ZnS : Te 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 17, 页码: 3170-3172 Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Li GH; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 HYDROSTATIC-PRESSURE  OPTICAL-ABSORPTION  BOUND EXCITONS  ZINC-SULFIDE  LUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  CRYSTALS  ALLOYS