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Multi-technique investigation of Ni-doped ZnO thin films on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 2021, 卷号: 39, 期号: 2
作者:
J. Chen
;
J. Wang
;
V. Saravade
;
I. T. Ferguson
;
W. Hu
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2022/06/13
Carrier recombination dynamics in green InGaN-LEDs with quantum-dot-like structures
期刊论文
Journal of Materials Science, 2021, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1481-1491
作者:
M. Tian
;
C. Ma
;
T. Lin
;
J. Liu
;
D. N. Talwar
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2022/06/13
Improving performance of semipolar (202¯1) light emitting diodes through reduction of threading dislocations by AlGaN/GaN superlattice interlayer
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2020, 卷号: 536
作者:
Song, Jie
;
Choi, Joowon
;
Han, Jung
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2020/03/12
Gallium nitride
Dislocations
Metalorganic chemical vapor deposition
Superlattice
Light emitting diodes
A theoretical and experimental study on effect of growth time on self-catalyzed InAs nanowires
期刊论文
Applied Surface Science, 2020, 卷号: 518, 期号: 146174, 页码: 146174
作者:
Wang XY(王小耶)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2020/11/10
InAs nanowires Self-catalyzed growth MOCVD Kinetic growth process
The Residual Stress and Al Incorporation of AlGaN Epilayers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7484-7488
作者:
Li Fangzheng
;
Wang Lianshan
;
Zhao Guijuan
;
Meng Yulin
;
Li Huijie
;
Chen Yanan
;
Yang Shaoyan
;
Jin Peng
;
Wang Zhanguo
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/11/15
Exploring the optimum growth conditions for InAs/GaSb and GaAs/GaSb superlattices on InAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018
作者:
Zhao, Yu
;
Huang, Yong(黄勇)
;
Hao, Xiujun
;
Teng, Yan
;
Wu, Qihua(吴启花)
收藏
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2019/03/27
Characterization of niobium-doped titania epitaxial films deposited by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
MATERIALS CHARACTERIZATION, 2018, 卷号: 137, 页码: 263-268
作者:
Zhao, Wei
;
Luan, Caina
;
Ma, Xiaochen
;
Feng, Xianjin
;
He, Linan
收藏
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2019/12/11
TiO2
Nb doping
Microstructures
Electrical properties
Optical
properties
Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7527-7531
作者:
Fu, Y. H.
;
Sun, X. J.
;
Ben, J. W.
;
Jiang, K.
;
Jia, Y. P.
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/09/17
GaN
MOCVD
Defects
V-Pits
raman-scattering
quantum-wells
nitrides
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
High quality InP epilayers grown on GaAs substrates using metamorphic AlGaInAs buffers by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017
作者:
Sun, Yurun(孙玉润)
;
Dong, Jianrong(董建荣)
;
Yu, Shuzhen(于淑珍)
;
Zhao, Yongming(赵勇明)
;
He, Yang(何洋)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/02/05
Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017
Wang, Xiaoye
;
Yang, Wenyuan
;
Wang, Baojun
;
Ji, Xianghai
;
Xu, Shengyong
;
Wang, Wei
;
Chen, Qing
;
Yang, Tao
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
Nanowires
Surfaces
Metalorganic chemical vapor deposition
Selective-area growth
Nanomaterials
InAs
III-V NANOWIRES
HIGHLY UNIFORM
TRANSISTORS
HETEROEPITAXY
DIRECTION
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