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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Mechanism on Effect of Surface Plasmons Coupling with InGaN/GaN Quantum Wells: Enhancement and Suppression of Photoluminescence Intensity 期刊论文 applied physics express, 2010, 卷号: 3, 期号: 7, 页码: art. no. 072001 Huang ZL (Huang Zengli); Wang JF (Wang Jianfeng); Liu ZH (Liu Zhenghui); Xu K (Xu Ke); Yang H (Yang Hui); Cao B (Cao Bing); Han Q (Han Qin); Zhang GJ (Zhang Guiju); Wang CH (Wang Chinhua) 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/17 LIGHT-EMITTING-DIODES   Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   Study on the Raman spectra of GaP nanorods synthesized within carbon nanotube templates 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2003, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 1-7 Ma BS; Fang ZL; Su FH; Ding K; Han HX; Li GH 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 GaP  nanorods  Raman spectra  polarization properties  SILICON NANOWIRES  GALLIUM   Photoluminescence of Te isoelectronic traps in ZnSeTe/ZnSe quantum wells under hydrostatic pressure 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2002, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 28-32 Fang ZL; Li GH; Han HX; Ding K; Chen Y; Peng CL; Yuan SX 收藏  |  浏览/下载：80/6  |  提交时间：2010/08/12 Te isoelectronic traps  pressure  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ZNSE1-XTEX  ALLOYS  EMISSION  CENTERS  BEHAVIOR