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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2003     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Pressure behavior of te isoelectronic centers in s-rich zns1-xtex alloy 期刊论文 Physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406 作者:  Li, GH;  Fang, ZL;  Su, FH;  Ma, BS;  Ding, K 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Study on the raman spectra of gap nanorods synthesized within carbon nanotube templates 期刊论文 Journal of infrared and millimeter waves, 2003, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 1-7 作者:  Ma, BS;  Fang, ZL;  Su, FH;  Ding, K;  Han, HX 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Gap  Nanorods  Raman spectra  Polarization properties   Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文 10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002 Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 OPTICAL-ABSORPTION  ZNS-TE  TRANSITION  EDGE   Luminescence study of (11(2)over-bar0) gan film grown by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 316-319 作者:  Chen, Z;  Lu, DC;  Liu, XL;  Wang, XH;  Han, PD 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406 Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-ABSORPTION  ZNS-TE  TRANSITION  EDGE   Study on the Raman spectra of GaP nanorods synthesized within carbon nanotube templates 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2003, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 1-7 Ma BS; Fang ZL; Su FH; Ding K; Han HX; Li GH 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 GaP  nanorods  Raman spectra  polarization properties  SILICON NANOWIRES  GALLIUM   Luminescence study of (11(2)over-bar0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 316-319 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 MG-DOPED GAN  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  SUBSTRATE  LAYER