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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   Design and Fabrication of AlGaN-Based Resonant-Cavity-Enhanced p-i-n UV PDs 期刊论文 ieee journal of quantum electronics, 2009, 卷号: 45, 期号: 5-6, 页码: 575-578 作者:  Ji XL 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN  distributed Bragg reflector (DBR)  resonant-cavity-enhanced (RCE)  transfer-matrix-approach (TMA)  ultraviolet (UV) photodetector (PD)