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期刊论文 [6]
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2019 [1]
2017 [4]
2009 [1]
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Temperature-dependent low-frequency noise in indium-zinc-oxide thin-film transistors down to 10 K
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: 66, 期号: 5, 页码: 2192-2197
作者:
Liu, Yuan
;
He, Hongyu
;
Chen, Ya-Yi
;
Chen, Rongsheng*
;
Wang, Li
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/27
Indium-zinc-oxide (IZO)
low-frequency noise (LFN)
temperature
thin-film transistor (TFT)
Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 页码: 1540-1542
作者:
Wan, Da
;
Abliz, Ablat
;
Su, Meng
;
Liu, Chuangsheng
;
Jiang, Changzhong
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/11/21
Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)
1/f noise model
thin-film transistors (TFTs)
indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)
low-frequency noise (LFN)
Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 11
作者:
Wan, Da
;
Abliz, Ablat
;
Su, Meng
;
Liu, Chuangsheng
;
Jiang, Changzhong
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)
indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)
thin-film transistors (TFTs)
low-frequency noise (LFN)
1/f noise model
Leakage Current and Low-Frequency Noise Analysis and Reduction in a Suspended SOI Lateral p-i-n Diode
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: Vol.64 No.10, 页码: 4252-4259
作者:
Li, GL
;
Kilchytska, V
;
Andre, N
;
Francis, LA
;
Zeng, Y
收藏
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2019/12/31
P-i-n
diodes
Leakage
currents
Annealing
Performance
evaluation
Silicon
Optical
sensors
Silicon-on-insulator
Annealing
characterization
dark
leakage
current
interface
traps
low-frequency
noise
(LFN)
P⁺P⁻N⁺
(p-i-n)
diode
silicon
on
insulator
(SOI)
simulation
Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2017, 卷号: Vol.38 No.11, 页码: 1540-1542
作者:
Wan, D
;
Abliz, A
;
Su, M
;
Liu, CS
;
Jiang, CZ
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/31
Indium tin oxide
Thin film transistors
Iron
1/f noise
Electron traps
Logic gates
Fluctuations
Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)
indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)
thin-film transistors (TFTs)
low-frequency noise (LFN)
1/f noise model
Investigation of Low-Frequency Noise in Silicon Nanowire MOSFETs
期刊论文
ieee electron device letters, 2009
Zhuge, Jing
;
Wang, Runsheng
;
Huang, Ru
;
Tian, Yu
;
Zhang, Liangliang
;
Kim, Dong-Won
;
Park, Donggun
;
Wang, Yangyuan
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/10
Low-frequency noise (LFN)
silicon nanowire MOSFETs (SNWTs)
1/F NOISE
MOS-TRANSISTORS
CMOS DEVICES
P-MOSFETS
GATE
IMPACT
TECHNOLOGIES
DEGRADATION
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