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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-Power, High-Sensitivity Temperature Sensor Based on Ultrathin SOI Lateral p-i-n Gated Diode 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.9, 页码: 4001-4007 作者:  Guoli Li;  Nicolas André;  Qi Chen;  Huiru Wang;  Laurent A. Francis 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13 Temperature sensors  P-i-n diodes  Sensitivity  Temperature measurement  Logic gates  Linearity  Linearity  low power  p-i-n diode  sensitivity  SOI  thermal sensing (temperature sensor)   A Snapback-Free and Low-Loss Shorted-Anode SOI LIGBT With Self-Adaptive Resistance 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1390-1395 作者:  Xiaorong Luo;  Yang Yang;  Tao Sun;  Jie Wei;  Diao Fan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 Anodes  Resistance  Current density  Silicon-on-insulator  Insulated gate bipolar transistors  Spontaneous emission  Sun  Low-loss  p-type polysilicon  self-adaptive resistance (SAR)  shorted-anode (SA)  snapback-free  silicon on insulator lateral insulated gate bipolar transistor (SOI LIGBT)   Low-Power, High-Sensitivity Temperature Sensor Based on Ultrathin SOI Lateral p-i-n Gated Diode 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: Vol.66 No.9, 页码: 4001-4007 作者:  Li, GL;  Andre, N;  Chen, Q;  Wang, HR;  Francis, LA 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/17 Linearity  low power  p-i-n diode  sensitivity  SOI  thermal sensing (temperature sensor)   Compact Model for Tunnel Diode Body Contact SOI n-MOSFETs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 249-254 作者:  Yongwei Chang;  Jiexin Luo;  Jing Chen;  Lingda Xu;  Zhan Chai 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/13 MOSFET  circuits  Integrated  circuit  modeling  Semiconductor  device  modeling  Radio  frequency  MOSFET  Analytical  models  Mathematical  model  Body  contact  compact  model  floating  body  effects  (FBEs)  impact  ionization  partially  depleted  silicon-on-insulator  (PD-SOI)  radio  frequency  (RF)  tunnel  diode  body  contact  (TDBC)   Multiple-Wavelength Detection in SOI Lateral PIN Diodes with Backside Reflectors 期刊论文 IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2017, 卷号: Vol.64 No.9, 页码: 7368-7376 作者:  Li, G.;  Andre, N.;  Gerard, P.;  Ali, S.Z.;  Udrea, F. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 Backside  reflector  black  silicon  light  detection  local  annealing  multiple  wavelength  optical  sensor  P-I-N  diode  silicon-on-insulator  (SOI)   Leakage Current and Low-Frequency Noise Analysis and Reduction in a Suspended SOI Lateral p-i-n Diode 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: Vol.64 No.10, 页码: 4252-4259 作者:  Li, GL;  Kilchytska, V;  Andre, N;  Francis, LA;  Zeng, Y 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2019/12/31 P-i-n  diodes  Leakage  currents  Annealing  Performance  evaluation  Silicon  Optical  sensors  Silicon-on-insulator  Annealing  characterization  dark  leakage  current  interface  traps  low-frequency  noise  (LFN)  P⁺P⁻N⁺  (p-i-n)  diode  silicon  on  insulator  (SOI)  simulation   Multiple-Wavelength Detection in SOI Lateral PIN Diodes With Backside Reflectors 期刊论文 IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2017, 卷号: Vol.64 No.9, 页码: 7368-7376 作者:  Li, GL;  Andre, N;  Gerard, P;  Ali, SZ;  Udrea, F 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2019/12/31 PIN photodiodes  Silicon  Optical sensors  Annealing  Light emitting diodes  Substrates  Backside reflector  black silicon  light detection  local annealing  multiple wavelength  optical sensor  P-I-N diode  silicon-on-insulator (SOI)   Analysis and simulation for current–voltage models of thin-film gated SOI lateral PIN photodetectors 期刊论文 Optik, 2014, 卷号: Vol.125 No.1, 页码: 540-544 作者:  Li, Guoli;  Zeng, Yun;  Hu, Wei;  Xia, Yu 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 LPIN  Photodetector  SOI  Depletion voltage  Photocurrent   Operation of thin-film gated SOI lateral PIN photodetectors with gate voltage applied and intrinsic length variation 期刊论文 Optik, 2014, 卷号: Vol.125 No.21, 页码: 6483-6487 作者:  Li, Guoli;  Zeng, Yun;  Zou, Wanghui;  Xia, Yu 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 Lateral PIN photodetector  SOI  Intrinsic length  Fully depleted  Gate voltage   PHYSICAL MODEL OF LATERAL PIN PHOTODIODE GATED BY A TRANSPARENT ELECTRODE FABRICATED ON SOI FILM 期刊论文 Optics and Photonics Letters, 2009, 卷号: Vol.2 No.1, 页码: 15-20 作者:  YUN ZENG;  HAI-QING XIE;  WEI-QING HUANG;  GUO-LIANG ZHANG;  TAI-HONG WANG 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/13 Photodiode  physical model  sensitivity  SNR  silicon-on-insulator (SOI) technology