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Oxygen vacancies and local amorphization introduced by high fluence neutron irradiation in β-Ga2O3 power diodes 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 卷号: 123
作者:  Liu, Jinyang;  Han, Zhao;  Ren, Lei;  Yang, Xiao;  Xu, Guangwei
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2023/11/10
A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p(+)-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 8
作者:  Jiang, Kaizhe;  Zhang, Xiaodong;  Tian, Chuan;  Zhang, Shengrong;  Zheng, Liqiang
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/10/07
A class of finite element methods with averaging techniques for solving the three-dimensional drift-diffusion model in semiconductor device simulations 期刊论文
JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2022, 卷号: 458, 页码: 24
作者:  Zhang, Qianru;  Wang, Qin;  Zhang, Linbo;  Lu, Benzhuo
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/02/07
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  杨圣
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2021/08/27
A 2.5 ppm/degrees C Voltage Reference Combining Traditional BGR and ZTC MOSFET High-Order Curvature Compensation 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 卷号: 68, 期号: 4, 页码: 1093-1097
作者:  Liu, Xifeng;  Liang, Shan;  Liu, Wenju;  Sun, Ping
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2021/05/17
Effect of charge coupling on breakdown voltage of high voltage trench-gate-type super barrier rectifier 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70
作者:  Xu Da-Lin;  Wang Yu-Qi;  Li Xin-Hua;  Shi Tong-Fei
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2021/04/26
A MOSFET-based high voltage nanosecond pulse module for the gating of proximity-focused microchannel plate image-intensifier 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 987
作者:  Fang, Yuman;  Gou, Yongsheng;  Zhang, Minrui;  Wang, Junfeng;  Tian, Jinshou
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/01/28
Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs 期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429
作者:  Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3];  Yang, S (Yang, Sheng) [1] , [2] , [3];  Liang, XW (Liang, Xiaowen) [1] , [2] , [3];  Zhang, D (Zhang, Dan) [1] , [2] , [3];  Pu, XJ (Pu, Xiaojuan) [1] , [2] , [3]
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2022/03/24
A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design 会议论文
Guilin, China, June 4-6, 2021
作者:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Xie C(谢闯);  Yang ZJ(杨志家)
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2022/02/04
SiC MOSFET在三相PWM整流器中的研究与应用 期刊论文
工业仪表与自动化装置, 2020, 期号: 2020-06, 页码: 75-79
作者:  米保全;  李许军;  王春霞
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/12/18

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