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Multifunctional organic semiconductor for dopant-free perovskite solar cells
期刊论文
SYNTHETIC METALS, 2022, 卷号: 285
作者:
Sun, Yuan
;
Zhao, Chundie
;
Zhang, Jinxue
;
Peng, Yaole
;
Ghadari, Rahim
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2022/12/23
P-type semiconductor
Layer interaction
hole transport material
Carbonyl
Perovskite
ELM Suppression by Boron Powder Injection and Comparison with Lithium Powder Injection on EAST
期刊论文
JOURNAL OF FUSION ENERGY, 2020
作者:
Maingi, R.
;
Hu, J. S.
;
Sun, Z.
;
Diallo, A.
;
Tritz, K.
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2020/11/30
Edge-localized modes
EAST
Impurities
Turbulence
Broadband Polarization-Insensitive Tunable Absorber Using Active Frequency Selective Surface
期刊论文
IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters, 2020, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 982-986
作者:
Zhao, Bo
;
Huang, Cheng
;
Yang, Jianing
;
Song, Jiakun
;
Guan, Chunlin
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2021/05/11
PIN photodiodes
Reflectivity
Resistance
Reflection
Absorption
Integrated circuit modeling
Impedance
Absorber
active frequency selective surface (AFSS)
tunable
wideband
Low-Power, High-Sensitivity Temperature Sensor Based on Ultrathin SOI Lateral p-i-n Gated Diode
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.9, 页码: 4001-4007
作者:
Guoli Li
;
Nicolas André
;
Qi Chen
;
Huiru Wang
;
Laurent A. Francis
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/13
Temperature sensors
P-i-n diodes
Sensitivity
Temperature measurement
Logic gates
Linearity
Linearity
low power
p-i-n diode
sensitivity
SOI
thermal sensing (temperature sensor)
The application of a high boiling point dissolution solvent on a poly(N-vinylcarbazole) host toward improving the performance of blue electrophosphorescent devices via a solution process
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 4427-4434
作者:
Yao, Bing
;
Liu, Lihui
;
Wang, Hailong
;
Zhang, Baohua
;
Yang, Qingqing
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/04/09
MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications
期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Sala, E. M.
;
Arikan, I. F.
;
Bonato, L.
;
Bertram, F.
;
Veit, P.
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/09/17
AlP barrier
GaP
InGaSb
MOVPE growth
nanoscale memory
quantum dots
hole localization
ohmic contacts
luminescence
resistance
Physics
The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors
期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Chen, Y. R.
;
Zhang, Z. W.
;
Li, Z. M.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2019/09/17
AlGaN
inserted layers
p-i-n structures
ultraviolet photodetectors
suppression
diodes
Materials Science
Physics
Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Zhang, Z. Z.
;
Shen, D. Z.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/09/17
zinc oxide
p-type
self-compens-tion
doping
molecular-beam epitaxy
thin-films
room-temperature
mgzno films
diodes
nanoparticles
modulation
gan(0001)
inversion
epilayers
Physics
Cryogenic characterization of fbk rgb-hd sipms
期刊论文
Journal of instrumentation, 2017, 卷号: 12, 页码: 11
作者:
Aalseth, C. E.
;
Acerbi, F.
;
Agnes, P.
;
Albuquerque, I. F. M.
;
Alexander, T.
收藏
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2019/04/23
Cryogenic detectors
Photon detectors for uv
Visible and ir photons (solid-state)
Photon detectors foruv
Visible and ir photons (solid-state) (pin diodes, apds, si-pmts, g-apds, ccds, ebccds, emccds ,etc)
Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector
期刊论文
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2017, 卷号: 139, 期号: 10, 页码: 11-16
作者:
Sun, J (Sun Jing)[ 1,2 ]
;
Guo, Q (Guo Qi)[ 1 ]
;
Yu, X (Yu Xin)[ 1,2 ]
;
He, CF (He Cheng-Fa)[ 1 ]
;
Shi, WL (Shi Wei-Lei)[ 1 ]
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/07/10
Displacement damage
NIEL
P-i-n photodiode
Damage enhancement factor
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