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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Low-Power, High-Sensitivity Temperature Sensor Based on Ultrathin SOI Lateral p-i-n Gated Diode 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.9, 页码: 4001-4007 作者:  Guoli Li;  Nicolas André;  Qi Chen;  Huiru Wang;  Laurent A. Francis 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13 Temperature sensors  P-i-n diodes  Sensitivity  Temperature measurement  Logic gates  Linearity  Linearity  low power  p-i-n diode  sensitivity  SOI  thermal sensing (temperature sensor)   Low-Power, High-Sensitivity Temperature Sensor Based on Ultrathin SOI Lateral p-i-n Gated Diode 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: Vol.66 No.9, 页码: 4001-4007 作者:  Li, GL;  Andre, N;  Chen, Q;  Wang, HR;  Francis, LA 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/17 Linearity  low power  p-i-n diode  sensitivity  SOI  thermal sensing (temperature sensor)   Multiple-Wavelength Detection in SOI Lateral PIN Diodes with Backside Reflectors 期刊论文 IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2017, 卷号: Vol.64 No.9, 页码: 7368-7376 作者:  Li, G.;  Andre, N.;  Gerard, P.;  Ali, S.Z.;  Udrea, F. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 Backside  reflector  black  silicon  light  detection  local  annealing  multiple  wavelength  optical  sensor  P-I-N  diode  silicon-on-insulator  (SOI)   Leakage Current and Low-Frequency Noise Analysis and Reduction in a Suspended SOI Lateral p-i-n Diode 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: Vol.64 No.10, 页码: 4252-4259 作者:  Li, GL;  Kilchytska, V;  Andre, N;  Francis, LA;  Zeng, Y 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2019/12/31 P-i-n  diodes  Leakage  currents  Annealing  Performance  evaluation  Silicon  Optical  sensors  Silicon-on-insulator  Annealing  characterization  dark  leakage  current  interface  traps  low-frequency  noise  (LFN)  P⁺P⁻N⁺  (p-i-n)  diode  silicon  on  insulator  (SOI)  simulation   Multiple-Wavelength Detection in SOI Lateral PIN Diodes With Backside Reflectors 期刊论文 IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2017, 卷号: Vol.64 No.9, 页码: 7368-7376 作者:  Li, GL;  Andre, N;  Gerard, P;  Ali, SZ;  Udrea, F 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2019/12/31 PIN photodiodes  Silicon  Optical sensors  Annealing  Light emitting diodes  Substrates  Backside reflector  black silicon  light detection  local annealing  multiple wavelength  optical sensor  P-I-N diode  silicon-on-insulator (SOI)   Research on high-voltage 4H-SiC P-i-N diode with planar edge junction termination techniques 期刊论文 中国物理B, 2011, 卷号: 第20卷 第6期, 页码: 370-375 作者:  Zhang FS(张发生);  Li XR(李欣然) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/05 silicon carbide  P–i–N diode  junction termination technique  simulation  breakdown voltage   Research on high-voltage 4H—SiC P—i—N diode with planar edge junction termination techniques 期刊论文 Chinese Physics B, 2011, 卷号: Vol.20 No.6, 页码: 67102 作者:  Zhang, Fa-Sheng;  Li, Xin-Ran 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 silicon carbide  P-i-N diode  junction termination technique  simulation  breakdown voltage   Research on high-voltage 4H–SiC P–i–N diode with planar edge junction termination techniques 期刊论文 Chinese Physics B, 2011, 卷号: Vol.20 No.6, 页码: 067102 作者:  Zhang, FS;  Li, XR 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 silicon carbide  P-i-N diode  junction termination technique  simulation  breakdown voltage