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| Study of the Mechanisms and characteristics of Large-AreaHigh-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes 会议论文
作者: Li CZ(李诚瞻); Tang YD(汤益丹) ; Dong SX(董升旭); Bai Y(白云); Yang CY(杨成樾)
  收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/05/14 |
| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者: 彭朝阳; 刘新宇; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| High Temperature 1MHz CapacitanceVoltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System 期刊论文
J. Appl. Phys., 2018
作者: KeAn Liu; Peng CY(彭朝阳); Wang SK(王盛凯); Bai Y(白云); Tang YD(汤益丹)
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2019/04/19 |
| 1200V/100A 高温大电流 4H-SiC 器件的研制 期刊论文
半导体技术, 2018
作者: 李诚瞻; 史晶晶; 白云; 董升旭; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/04/19 |
| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者: 李诚瞻; 汤益丹; 申华军; 白云; 周静涛
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法 专利
专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06
作者: 汤益丹; 白云; 李诚瞻; 刘新宇; 刘国友
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| SiC电力电子器件关键技术及应用 成果
2018
主要完成人: 汤益丹; 刘可安; 李诚瞻; 冯淦; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：35/0 | 提交时间：2019/06/03 |
| Multi-dimensional models of sic power mosfet for accurately predicting the characteristics 期刊论文
CES TRANSACTIONS ON ELECTRICAL MACHINES AND SYSTEMS, 2017
作者: Diao S(刁绅); Li CZ(李诚瞻); Yang CY(杨成樾); Liu XY(刘新宇); Bai Y(白云)
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2018/05/16 |
| Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain 期刊论文
Materials Science Forum, 2017
作者: Liu XY(刘新宇); Yang CY(杨成樾); Shen HJ(申华军); Li CZ(李诚瞻); Bai Y(白云)
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2018/05/16 |
| Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing 期刊论文
Materials Science Forum, 2017
作者: Bai Y(白云); Peng CY(彭朝阳); Tang YD(汤益丹); Wang YY(王弋宇); Liu XY(刘新宇)
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/05/16 |
