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	Study of the Mechanisms and characteristics of Large-AreaHigh-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes
	Li CZ(李诚瞻); Tang YD(汤益丹); Dong SX(董升旭); Bai Y(白云); Yang CY(杨成樾); Liu XY(刘新宇)
	2018-09-05
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/19130]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Li CZ,Tang YD,Dong SX,et al. Study of the Mechanisms and characteristics of Large-AreaHigh-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes[C]. 见:.

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