一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法

	一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法
	汤益丹; 白云; 李诚瞻; 刘新宇; 刘国友; 杨成樾; 申华军; 吴佳
	2018-03-06
著作权人	中国科学院微电子研究所 ; 株洲南车时代电气股份有限公司
专利号	CN201510702260.8
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法，该方法是在需要腐蚀的氧化硅层之上沉积一薄层氧化硅介质，通过调节该薄层氧化硅介质的致密度及厚度，实现对需要腐蚀的氧化硅层的侧向腐蚀速度控制，进而实现对需要腐蚀的氧化硅层的各向异性湿法腐蚀工艺中倾角的控制。该工艺方法简单，易于实现。而利用该方法制成的氧化硅介质作为抗刻蚀掩模为进一步控制刻蚀其它半导体材料的侧壁形貌提供了有效途径。
公开日期	2016-01-06
申请日期	2018-03-06
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18660]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	汤益丹,白云,李诚瞻,等. 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法. CN201510702260.8. 2018-03-06.