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The Implementation of Real-Time Plasma Electron Density Calculation Based on FPGA for Tokamak Devices 期刊论文
JOURNAL OF FUSION ENERGY, 2021, 卷号: 40
作者:  Shu, Shuangbao;  Lai, Jin;  Zhang, Yang;  Chen, Meixia;  Zhang, Yuzhong
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/08/31
Radiation effects of heavy ions on the static and dynamic characteristics of 850 nm high-speed vertical cavity surface emitting lasers 期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2021, 卷号: 237, 页码: 7
作者:  Shan, Xiaoting;  Li, Bo;  Zhao, Fazhan;  Wang, Lei;  Sun, Yun
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2021/12/09
Studies on corrosion behavior of a single-crystal superalloy and its sputtered nanocrystalline coatings with solid NaCl deposit in O-2+38 vol.% H2O environment at 700 degrees C 期刊论文
CORROSION SCIENCE, 2019, 卷号: 161, 页码: 12
作者:  Sun, Wenyao;  Wang, Jinlong;  Yang, Lanlan;  Chen, Minghui;  Bao, Zebin
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2021/02/02
Alirocumab Reduces Total Nonfatal Cardiovascular and Fatal Events The ODYSSEY OUTCOMES Trial 期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN COLLEGE OF CARDIOLOGY, 2019, 卷号: 73, 期号: 4
作者:  Szarek, Michael;  White, Harvey D.;  Schwartz, Gregory G.;  Alings, Marco;  Bhatt, Deepak L.
收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2019/12/05
Preparation of a Duplex Nanocrystalline Coating by Magnetron Sputtering and Its Oxidation Performance 期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 181-187
作者:  Zhou, Meiqi;  Wang, Jiantao;  Chen, Minghui;  Yang, Lanlan;  Wu, Changjun
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4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制 期刊论文
电工电能新技术, 2018
作者:  郭心宇;  汤益丹;  董升旭;  杨成樾;  白云
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/19
Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures 期刊论文
Chin. Phys. B, 2018
作者:  Liu XY(刘新宇);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Tang YD(汤益丹);  Chen H(陈宏)
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/04/19
Study of the Mechanisms and characteristics of Large-AreaHigh-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes 会议论文
作者:  Li CZ(李诚瞻);  Tang YD(汤益丹);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Yang CY(杨成樾)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/14
碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者:  李诚瞻;  汤益丹;  申华军;  白云;  周静涛
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一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法 专利
专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06
作者:  汤益丹;  白云;  李诚瞻;  刘新宇;  刘国友
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