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Improved heat transfer and friction correlations of aluminum offset-strip fin heat exchangers for helium cryogenic applications 期刊论文
APPLIED THERMAL ENGINEERING, 2021, 卷号: 192
作者:  Jiang, Qingfeng;  Pan, Chongyao;  Chen, Yidan;  Zhang, Qiyong;  Tang, Yanbing
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/06/21
Solid Fuel Use and Risks of Respiratory Diseases A Cohort Study of 280,000 Chinese Never-Smokers 期刊论文
AMERICAN JOURNAL OF RESPIRATORY AND CRITICAL CARE MEDICINE, 2019, 卷号: 199, 期号: 3
作者:  Chan, Ka Hung;  Kurmi, Om P.;  Bennett, Derrick A.;  Yang, Ling;  Chen, Yiping
收藏  |  浏览/下载：130/0  |  提交时间：2019/12/05
Family History, Tobacco Smoking, and Risk of Ischemic Stroke 期刊论文
2019, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 175-+
作者:  Fan, Mengyu;  Lv, Jun;  Yu, Canqing;  Guo, Yu;  Bian, Zheng
收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2020/01/03
Solid Fuel Use and Risks of Respiratory Diseases A Cohort Study of 280,000 Chinese Never-Smokers 期刊论文
2019, 卷号: 199, 期号: 3, 页码: 352-361
作者:  Chan, Ka Hung;  Kurmi, Om P.;  Bennett, Derrick A.;  Yang, Ling;  Chen, Yiping
收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2020/01/03
Causal associations of blood lipids with risk of ischemic stroke and intracerebral hemorrhage in Chinese adults 期刊论文
2019, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 569-+
作者:  Sun, Luanluan;  Clarke, Robert;  Bennett, Derrick;  Guo, Yu;  Walters, Robin G.
收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2020/01/03
4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制 期刊论文
电工电能新技术, 2018
作者:  郭心宇;  汤益丹;  董升旭;  杨成樾;  白云
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/19
Estimation of Border Trap Distribution in Electron Irradiated SiC MOS Capacitor Using High Temperature 1M Hz C-V Method 会议论文
作者:  Tang YD(汤益丹);  Peng CY(彭朝阳);  Wang SK(王盛凯);  Hao JL(郝继龙);  Liu XY(刘新宇)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/14
Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures 期刊论文
Chin. Phys. B, 2018
作者:  Liu XY(刘新宇);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Tang YD(汤益丹);  Chen H(陈宏)
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/04/19
Study of the Mechanisms and characteristics of Large-AreaHigh-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes 会议论文
作者:  Li CZ(李诚瞻);  Tang YD(汤益丹);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Yang CY(杨成樾)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/14
一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者:  彭朝阳;  刘新宇;  刘国友;  李诚瞻;  汤益丹
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