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The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs 期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 551-558
作者:  Xi, SX (Xi, Shan-Xue)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)[ 1,2 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)[ 1,2 ];  Wei, Y (Wei, Ying)[ 1,2 ]
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2020/07/06
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/07/15
Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique 会议论文
作者:  Li YY(李洋洋);  Li XJ(李晓静);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Yan WW(闫薇薇)
收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2019/05/09
Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer 期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737
作者:  Dai, Lihua;  Bi, Dawei;  Ning, Bingxu;  Hu, Zhiyuan;  Song, Lei
收藏  |  浏览/下载:59/0  |  提交时间:2019/05/09
Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9
作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Guo, Q (Guo Qi)
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2016/12/12
Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs 期刊论文
Phys. Status Solidi C, 2015
作者:  Luo J(罗军);  Fang W(方雯);  Zhao C(赵超)
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2016/05/31
An Improved Model of Self-Heating Effects for Ultrathin Body SOI nMOSFETs Based on Phonon Scattering Analysis 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 534-536
作者:  Zhang, Guohe;  Gu, Yixi;  Li, Jianxiong;  Tao, Huibin
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/02
基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法 期刊论文
中国科学信息科学, 2014
冯慧; 安霞; 杨东; 谭斐; 黄良喜; 武唯康; 张兴; 黄如
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/11/11
Total ionizing dose (TID) effect and single event effect (SEE) in quasi-SOI nMOSFETs 期刊论文
semiconductor science and technology, 2014
Tan, Fei; Huang, Ru; An, Xia; Wu, Weikang; Feng, Hui; Huang, Liangxi; Fan, Jiewen; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2015/11/13
高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2014
李哲; 吕垠轩; 何燕冬; 张钢刚
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2015/11/13


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