Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique

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	Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique
	Li YY(李洋洋)2; Li XJ(李晓静)2 ; Li B(李博)2 ; Gao LC(高林春)2 ; Yan WW(闫薇薇)2 ; Wang FF(王芳芳)2; Mei Bo 1; Ceng CB(曾传滨)2 ; Han ZS(韩郑生)2 ; Luo JJ(罗家俊)2
	2018-09-16
会议录	Conference on Radiation Effects on Components and Systems （RADECS 2018）
文献子类	会议论文
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/19095]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	1.中国空间技术研究院 2.中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Li YY,Li XJ,Li B,et al. Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique[C]. 见:.