Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs
Luo J(罗军); Fang W(方雯); Zhao C(赵超)
刊名Phys. Status Solidi C
2015-08-01
公开日期2016-05-31
内容类型期刊论文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/15099]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Luo J,Fang W,Zhao C. Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs[J]. Phys. Status Solidi C,2015.
APA Luo J,Fang W,&Zhao C.(2015).Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs.Phys. Status Solidi C.
MLA Luo J,et al."Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs".Phys. Status Solidi C (2015).
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace