Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs | |
Luo J(罗军); Fang W(方雯); Zhao C(赵超) | |
刊名 | Phys. Status Solidi C |
2015-08-01 | |
公开日期 | 2016-05-31 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15099] |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Luo J,Fang W,Zhao C. Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs[J]. Phys. Status Solidi C,2015. |
APA | Luo J,Fang W,&Zhao C.(2015).Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs.Phys. Status Solidi C. |
MLA | Luo J,et al."Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs".Phys. Status Solidi C (2015). |
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