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Transient Current Analysis of Silicon Carbide Neutron Detector Using SRIM and TCAD
期刊论文
IEEE SENSORS JOURNAL, 2022, 卷号: 22
作者:
Zhang, Lilong
;
Wang, Ying
;
Guo, Haomin
;
Yu, Chenghao
;
Hu, Haifan
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/12/23
Neutron detector
silicon carbide
transient current
charge collection
SRIM and TCAD
Antibacterial and anti-inflammatory activities of chitosan/copper complex coating on medical catheters: In vitro and in vivo
期刊论文
JOURNAL OF BIOMEDICAL MATERIALS RESEARCH PART B-APPLIED BIOMATERIALS, 2022, 页码: 12
作者:
Gu, Guisong
;
Erisen, Deniz Eren
;
Yang, Ke
;
Zhang, Bingchun
;
Shen, Minggang
收藏
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浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2022/07/01
antibacterial
catheter
chitosan
copper ion
inflammation
Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1
;
Li, YD (Li, Yudong) 1
;
Lu, W (Lu, Wu) 1
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2021/08/06
Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability
Interaction of irradiation-induced point defects with transmutants (H, He, Li, Be, B, Mg, Al and P) in 3C-SiC ceramics
期刊论文
JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, 2020, 卷号: 40
作者:
Sun, Jingjing
;
You, Yu-Wei
;
Xu, Yichun
;
Wu, Xuebang
;
Li, B. S.
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2020/10/26
Cubic silicon carbide
Point defect
Structural materials
Transmutants
Ab initio calculations
Lattice Defects and Exfoliation Efficiency of 6H-SiC via H-2(+) Implantation at Elevated Temperature
期刊论文
MATERIALS, 2020, 卷号: 13, 期号: 24, 页码: 13
作者:
Wang, Tao
;
Yang, Zhen
;
Li, Bingsheng
;
Xu, Shuai
;
Liao, Qing
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2021/12/13
6H-SiC
H-2(+) implantation
exfoliation
microstructure
Irradiation-induced microstructure damage in He-irradiated 3C-SiC at 1000 degrees C
期刊论文
JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, 2020, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1014-1022
作者:
Li, Bingsheng
;
Liu, Huiping
;
Shen, Tielong
;
Xu, Lijun
;
Wang, Jie
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2022/01/18
3C-SiC
He irradiation
Microstructure
Stacking faults
High temperature
Net versus gross erosion of silicon carbide in DIII-D divertor
期刊论文
PHYSICA SCRIPTA, 2020, 卷号: T171
作者:
Rudakov, D. L.
;
Wampler, W. R.
;
Abrams, T.
;
Ding, R.
;
Boedo, J. A.
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2020/11/26
DIII-D tokamak
DiMES
silicon carbide
Lattice disorder and N elemental segregation in ion implanted GaN epilayer
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 499, 页码: 9
作者:
Li, B. S.
;
Liu, H. P.
;
Xu, L. J.
;
Wang, J.
;
Song, J.
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2022/01/19
He implantation
Lattice disorder
GaN
Transmission electron microscopy
Dislocation loops
Molecular dynamics simulation of helium ion implantation into silicon and its migration
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 456, 页码: 53-59
作者:
Liu L
;
Xu ZW
;
Li RR
;
Zhu R
;
Xu J
收藏
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2019/10/14
Molecular dynamics simulation
Ion implantation
Helium
Si
Annealing
6H-SiC blistering efficiency as a function of the hydrogen implantation fluence
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 466, 页码: 141-150
作者:
Daghbouj, N.
;
Li, B. S.
;
Karlik, M.
;
Declemy, A.
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2019/03/27
Hydrogen implantation
6H-SiC
Smart-cut
Blistering
Strain
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