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| Doping profile optimisation in bulk FinFET channeland source/drain extension regions for low off-state leakage 期刊论文
Int. J. Nanotechnol, 2014
作者: Ye TC(叶甜春) ; Zhang KK(张珂珂); Liu YF(刘云飞); Zhu HL(朱慧珑); Zhao C(赵超)
  收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2015/05/06 |
| The effects of process condition of Top-TiN and TaN thickness on the effective work function of MOSCAP with high-k/metal gate stacks 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014
作者: Chen DP(陈大鹏); Ma XL(马雪丽); Yang H(杨红); Wang WW(王文武); Yin HX(殷华湘)
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2015/05/06 |
| An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014
作者: Chen DP(陈大鹏); Ma XL(马雪丽); Yang H(杨红); Wang WW(王文武); Yin HX(殷华湘)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2015/05/06 |
| 基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充的方法 专利
专利号: CN201110352024.X, 申请日期: 2014-08-13, 公开日期: 2012-06-20
作者: 陈岚; 吴玉平; 叶甜春
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2012/11/20 |
| A Novel Fin Electron–Hole Bilayer Tunnel Field-Effect Transistor 期刊论文
IEEE Transactions on Nanotechnology, 2014
作者: Zhu ZY(朱正勇); Zhu HL(朱慧珑); Xu M(许淼); Zhong J(钟健); Zhao C(赵超)
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2015/04/24 |
| 一种自动构建器件模型参数优化提取过程的方法 专利
专利号: CN201010249178.1, 申请日期: 2014-06-18, 公开日期: 2012-03-14
作者: 叶甜春; 吴玉平; 陈岚
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/11/03 |
| 一种石墨烯器件及其制造方法 专利
专利号: CN201010532003.1, 申请日期: 2014-05-28, 公开日期: 2012-05-23
作者: 叶甜春; 梁擎擎; 金智; 王文武; 钟汇才
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2015/05/29 |
| The Anistropy of Field Effect Mobility of CVD Graphene Grown on Copper Foil 期刊论文
SMALL, 2014
作者: Liu XY(刘新宇); Peng SA(彭松昂); Ma P(麻芃); Shi JY(史敬元); Jin Z(金智)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2015/04/16 |
| Analysis of mix-and-match litho approach for manufacturing 会议论文
作者: Zhao C(赵超); Wei YY(韦亚一); Ye TC(叶甜春)
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2015/05/07 |
| Reflectance and minority carrier lifetime of silicon nanoholes synthesized by chemical etching method 期刊论文
Chemical Physics Letters, 2014
作者: Zhang DS(张代生); Ye TC(叶甜春); Liu XY(刘新宇); Jin Z(金智); Ding WC(丁武昌)
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2015/04/17 |
