基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充的方法

	基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充的方法
	陈岚; 吴玉平; 叶甜春
	2014-08-13
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110352024.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充方法，包括：线网电学特性计算；物理版图区域划分；根据所述物理版图区域划分的结果进行区域内图形几何同构和根据所述线网电学特性计算的结果进行区域内电学同构；将同构的区域进行优化填充；将上述区域填充的数据进行复用，以进一步对同构的区域进行填充。本发明提供的方法可解决现有哑金属填充方法中采用串行计算导致的填充速度慢的问题和采用串行计算导致的匹配物理版图冗余金属填充几何失配和电学失配的问题。
公开日期	2012-06-20
申请日期	2011-11-09
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/9969]
专题	微电子研究所_EDA中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈岚,吴玉平,叶甜春. 基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充的方法. CN201110352024.X. 2014-08-13.