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A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design
会议论文
Guilin, China, June 4-6, 2021
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Xie C(谢闯)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2022/02/04
ballistic transport
compact model
integrated-cricuit design
sub-7 nm GAA MOSFET
the source-drain tunneling
Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9
作者:
Cheng H(程贺)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Zhang C(张超)
;
Liu ZF(刘志峰)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2020/07/11
ballistic transport
cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET
compact model
Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation
the source-to-drain tunneling
Analytic Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic GAA MOSFET Including SDT effect
会议论文
Zhangjiajie, China, April 24-26, 2020
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Yang ZJ(杨志家)
;
Zhang ZP(张志鹏)
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/08/01
Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic Gate-All-Around MOSFET Including the Source-to-drain Tunneling
会议论文
Male, Maldives, March 6-8, 2018
作者:
Liu ZF(刘志峰)
;
Yang ZJ(杨志家)
;
Cheng H(程贺)
;
Zhang ZP(张志鹏)
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/07/01
A Novel Tunnel FET Design Through Adaptive Bandgap Engineering With Constant Sub-Threshold Slope Over 5 Decades of Current and High I-ON/I-OFF Ratio
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
Zhao, Yang
;
Wu, Chunlei
;
Huang, Qianqian
;
Chen, Cheng
;
Zhu, Jiadi
;
Guo, Lingyi
;
Jia, Rundong
;
Lv, Zhu
;
Yang, Yuchao
;
Li, Ming
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/12/03
Band-to-band tunneling (BTBT)
Hetero-structure
self-adaptively current replenishing
sub-threshold slope
tunnel field-effect transistor
Perspective analysis of tri gate germanium tunneling field-effect transistor with dopant segregation region at source/drain
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017
Liu, Liang-kui
;
Shi, Cheng
;
Zhang, Yi-bo
;
Sun, Lei
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/03
ELECTRICAL-PROPERTIES
SCHOTTKY CONTACTS
MOSFETS
SWITCHES
LIMIT
STACK
Simulation and comparative study of tunneling field effect transistors with dopant-segregated Schottky source/drain
其他
2016-01-01
Zhang, Yi Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Han, Jing Wen
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
BARRIER MOSFETS
REDUCTION
DEVICES
LEAKAGE
HEIGHT
DESIGN
MODEL
Simulation and comparative study of tunneling field effect transistors with dopant-segregated Schottky source/drain
期刊论文
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2016
Zhang, Yi Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Han, Jing Wen
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
BARRIER MOSFETS
REDUCTION
DEVICES
LEAKAGE
HEIGHT
DESIGN
MODEL
A Novel Tunnel FET Design With Stacked Source Configuration for Average Subthreshold Swing Reduction
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016
Wu, Chunlei
;
Huang, Qianqian
;
Zhao, Yang
;
Wang, Jiaxin
;
Wang, Yangyuan
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
Band-to-band tunneling (BTBT)
heterostructure
subthreshold slope
tunnel FET (TFET)
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
LOGIC
Transport studies of electron-hole and spin-orbit interaction in GaSb/InAsSb core-shell nanowire quantum dots
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2015
Ganjipour, Bahram
;
Leijnse, Martin
;
Samuelson, Lars
;
Xu, H. Q.
;
Thelander, Claes
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
GASB
INAS
TRANSITION
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