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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018 作者:  刘胜北 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/02/22 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 - 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/06/02 4H-SiC  场效应晶体管  NO退火  UMOSFET  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容   Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 孔祥挺 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/06/05 InGaAs沟道  高迁移率  MOSFET  Ge/Si衬底   基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 李士颜 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2016/06/02 高深宽比限制技术  选区外延技术  Si基III-V族异质外延  Si基高迁移率III-V族MOSFET  纳米激光器