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| 远程等离子体辅助原子层沉积技术制备HfO2薄膜及HfO2/Ge界面性质研究 学位论文
2016, 2016
池晓伟
  收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 一种基于SiC MOSFET的固态直流断路器及其控制方法 专利
申请日期: 2016-11-23,
作者: 任宇; 杨旭; 张帆; 王来利
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| Improved Single-Event Hardness of Trench Power MOSFET with a Widened Split Gate 会议论文
作者: Wang LX(王立新) ; Han ZS(韩郑生); Zhang GH(张国欢); Li BH(李彬鸿); Li B(李博)
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2017/05/19 |
| A 0.5-v novel complementary current-reused cmos lna for 2.4 ghz medical application 期刊论文
Microelectronics journal, 2016, 卷号: 55, 页码: 64-69
作者: Dai, Ruofan; Zheng, Yunlong; He, Jun; Liu, Guojun; Kong, Weiran
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2019/05/09
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| 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201310589191.5, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 杨谦; 韩林超; 申华军; 白云; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210083156.1, 申请日期: 2016-08-10, 公开日期: 2013-10-23
作者: 徐秋霞; 殷华湘; 马小龙; 陈大鹏
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2017/06/30 |
| Comparison of single-event transients of t-gate core and io device in 130nm partially depleted silicon-on-insulator technology 期刊论文
Ieice electronics express, 2016, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 11
作者: Zheng Yunlong; Dai Ruofan; Chen Zhuojun; Sun Shulong; Wang Zheng
收藏 | 浏览/下载：38/0 | 提交时间：2019/05/09
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| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
李士颜
收藏 | 浏览/下载：86/0 | 提交时间：2016/06/02
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| 星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 余德昭
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2016/09/27
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| 星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者: 余德昭
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/09/27
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