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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design 会议论文 Guilin, China, June 4-6, 2021 作者:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Xie C(谢闯);  Yang ZJ(杨志家) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2022/02/04 ballistic transport  compact model  integrated-cricuit design  sub-7 nm GAA MOSFET  the source-drain tunneling