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| A Single Gate Driver Based Solid-State Circuit Breaker Using Series Connected SiC MOSFETs 期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 2002-2006
作者: Ren, Yu; Yang, Xu; Zhang, Fan; Wang, Fei; Tolbert, Leon M.
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| 一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
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| 一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
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| 一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-02,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
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| 一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-02,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| 一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-01-23,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
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| Temperature Dependence of Dynamic Performance Characterization of 1.2 kV SiC Power MOSFETs compared with Si IGBTs for Wide Temperature Applications 期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2018
作者: Qi, Jinwei; Yang, Xu; Li, Xin; Tian, Kai; Mao, Zhangsong
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| A Modified Single Pulse Method for Transient Thermal Impedance (TTI) Measurement of VDMOSFET Relates Gate Bias to the TTI Results 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, 2018, 卷号: 18, 页码: 383-391
作者: Tang, Yankun
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| Paralleled GaN DHEMTs integrated cascode GaN switch for high-current applications 期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018, 卷号: 54, 页码: 899-900
作者: Zhu, Tianhua; Zhuo, Fang
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2019/11/19
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| 功率器件封装中铝线键合工艺的提升及可靠性研究 学位论文
2018
作者: 蒲文斌
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/11/26
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