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| 一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路 专利
专利号: CN109861076A, 申请日期: 2019-06-07, 公开日期: 2019-06-07
作者: 陈少强; 冉旭; 刁盛锡; 田赟鹏; 李鹏涛
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| 一种SOIMOSFET器件的建模方法 专利
专利号: CN201510303560.9, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2015-09-30
作者: 卜建辉 ; 罗家俊; 韩郑生
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| 一种半导体激光器脉冲种子源及其工作方法 专利
专利号: CN108390254A, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2018-08-10
作者: 程文雍; 王晓倩; 杨厚文
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| 石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法 专利
专利号: CN201510560088.7, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2016-01-06
作者: 汪令飞; 王伟; 徐光伟; 李泠; 刘明
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| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者: 彭朝阳; 刘新宇; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹
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| 一种MOSFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310477078.8, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2015-04-29
作者: 尹海洲
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| P型MOSFET的制造方法 专利
专利号: CN201210506496.0, 申请日期: 2018-05-22, 公开日期: 2014-06-11
作者: 周华杰; 梁擎擎; 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博
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| 一种MOSFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310480377.7, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2015-04-29
作者: 尹海洲; 李睿; 刘云飞
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| 三维半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410284519.7, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-09-10
作者: 霍宗亮
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| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者: 李诚瞻; 汤益丹; 申华军; 白云; 周静涛
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