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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制 期刊论文 电工电能新技术, 2018 作者:  郭心宇;  汤益丹;  董升旭;  杨成樾;  白云 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/19 Estimation of Border Trap Distribution in Electron Irradiated SiC MOS Capacitor Using High Temperature 1M Hz C-V Method 会议论文 作者:  Tang YD(汤益丹);  Peng CY(彭朝阳);  Wang SK(王盛凯);  Hao JL(郝继龙);  Liu XY(刘新宇) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/14 Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures 期刊论文 Chin. Phys. B, 2018 作者:  Liu XY(刘新宇);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Tang YD(汤益丹);  Chen H(陈宏) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/04/19 Study of the Mechanisms and characteristics of Large-AreaHigh-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes 会议论文 作者:  Li CZ(李诚瞻);  Tang YD(汤益丹);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Yang CY(杨成樾) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/14 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利 专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18 作者:  彭朝阳;  刘新宇;  刘国友;  李诚瞻;  汤益丹 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/07 Reliability of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Under High Temperature Power Cycling Stress 会议论文 作者:  Tang YD(汤益丹);  Liu XY(刘新宇);  Wang G(王刚);  Luo YF(罗亚非);  Bai Y(白云) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/14 Study of Temperature-Dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers 期刊论文 Materials Science Forum, 2018 作者:  Xu SD(徐少东) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/19 High Temperature 1MHz CapacitanceVoltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System 期刊论文 J. Appl. Phys., 2018 作者:  KeAn Liu;  Peng CY(彭朝阳);  Wang SK(王盛凯);  Bai Y(白云);  Tang YD(汤益丹) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/04/19 1200V/100A 高温大电流 4H-SiC 器件的研制 期刊论文 半导体技术, 2018 作者:  李诚瞻;  史晶晶;  白云;  董升旭;  汤益丹 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/19 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利 专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16 作者:  李诚瞻;  汤益丹;  申华军;  白云;  周静涛 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/03/07