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发表日期
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2016 [2]
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The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 551-558
作者:
Xi, SX (Xi, Shan-Xue)[ 1,2,3 ]
;
Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)[ 1,2 ]
;
Lu, W (Lu, Wu)[ 1,2 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)[ 1,2 ]
;
Wei, Y (Wei, Ying)[ 1,2 ]
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2020/07/06
Total ionizing dose
h-shape gate
channel width
partially depleted
Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer
期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737
作者:
Dai, Lihua
;
Bi, Dawei
;
Ning, Bingxu
;
Hu, Zhiyuan
;
Song, Lei
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2019/05/09
Buried oxide
Interface trap
Silicon ion implantation
Soi nmosfets
Total dose radiation
Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9
作者:
Zhou, H (Zhou Hang)
;
Zheng, QW (Zheng Qi-Wen)
;
Cui, JW (Cui Jiang-Wei)
;
Yu, XF (Yu Xue-Feng)
;
Guo, Q (Guo Qi)
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2016/12/12
silicon-on-insulator
ionizing radiation
hot carriers
Towards single-trap spectroscopy_Generation-recombination noise in UTBOX SOI nMOSFETs
期刊论文
Phys. Status Solidi C, 2015
作者:
Luo J(罗军)
;
Fang W(方雯)
;
Zhao C(赵超)
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/05/31
An Improved Model of Self-Heating Effects for Ultrathin Body SOI nMOSFETs Based on Phonon Scattering Analysis
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 534-536
作者:
Zhang, Guohe
;
Gu, Yixi
;
Li, Jianxiong
;
Tao, Huibin
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/02
thermal conductivity
phonon scattering
SOI NMOSFETs
self-heating effects
基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
期刊论文
中国科学信息科学, 2014
冯慧
;
安霞
;
杨东
;
谭斐
;
黄良喜
;
武唯康
;
张兴
;
黄如
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/11
自热效应
热载流子注入效应
热电阻
寿命预测
SOI
Total ionizing dose (TID) effect and single event effect (SEE) in quasi-SOI nMOSFETs
期刊论文
semiconductor science and technology, 2014
Tan, Fei
;
Huang, Ru
;
An, Xia
;
Wu, Weikang
;
Feng, Hui
;
Huang, Liangxi
;
Fan, Jiewen
;
Zhang, Xing
;
Wang, Yangyuan
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/13
quasi-SOI device
single event effect (SEE)
total ionizing dose (TID)
worst case
TECHNOLOGIES
TRANSISTOR
CANDIDATE
MOSFET
UPSET
高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究
期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2014
李哲
;
吕垠轩
;
何燕冬
;
张钢刚
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/11/13
正偏置温度不稳定性(PBTI)
高介电常数栅介质
绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(SOI MOSFET)
退化
应力诱导漏电流(SILC)
PBTI
high-κ gate dielectrics
SOI MOSFET
degradation
SILC
采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 6,1875-1880
作者:
吴峻峰
;
钟兴华
;
李多力
;
毕津顺
;
海潮和
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/05/26
部分耗尽soi
半背沟道
击穿
翘曲效应
抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs
期刊论文
功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 4,71-74
作者:
海潮和
;
韩郑生
;
钱鹤
;
赵洪辰
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/05/26
Soi
总剂量辐照
氮化h2-o2
合成栅介质
H型栅
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