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期刊论文 [9]
专利 [1]
发表日期
2016 [10]
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发表日期:2016
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Vacancy effects on the formation of He and Kr cavities in 3C-SiC irradiated and annealed at elevated temperatures
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 389, 页码: 40-47
作者:
Zang, Hang
;
Wang, Zhiguang
;
Yun, Di
;
He, Chaohui
;
Li, Tao
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2018/05/31
He and Kr cavities
Vacancy effect
High-temperature annealing
Ion irradiation
3C-SiC
Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer
期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737
作者:
Dai, Lihua
;
Bi, Dawei
;
Ning, Bingxu
;
Hu, Zhiyuan
;
Song, Lei
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2019/05/09
Buried oxide
Interface trap
Silicon ion implantation
Soi nmosfets
Total dose radiation
The radiation hardness of the nitrogen-fluorine implanted buried oxide layer in silicon-on-insulator materials against higher total dose irradiation.
期刊论文
SCIENCE CHINA Materials, 2016
作者:
Liu ZL(刘忠立)
;
Han ZS(韩郑生)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Zheng ZS(郑中山)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/05/08
半导体器件制造方法
专利
专利号: US9418835, 申请日期: 2016-08-16, 公开日期: 2016-03-26
作者:
刘金彪
;
李俊峰
;
王桂磊
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2017/06/12
Wettability and boiling heat transfer study of black silicon surface produced using the plasma immersion ion implantation method
期刊论文
Applied Thermal Engineering, 2016
作者:
Li CB(李超波)
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/05/09
Silicon-Doped Titanium Dioxide Nanotubes Promoted Bone Formation on Titanium Implants
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MOLECULAR SCIENCES, 2016, 卷号: 17, 期号: 3
作者:
Zhao, Xijiang
;
Wang, Tao
;
Qian, Shi
;
Liu, Xuanyong
;
Sun, Junying
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2017/02/27
MC3T3-E1 cells
silicon doping
titanium dioxide nanotubes
osteogenic differentiation
osseointegration
titanium
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1
作者:
Sun, SC
;
Fu, K(付凯)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Zhang, ZL
;
Song, L
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/03/11
Effect of annealing process on the photoelectric properties and microstructure of sulfur-hyperdoped silicon
期刊论文
Defect and Diffusion Forum, 2016, 卷号: 373 DDF, 页码: 217-220
作者:
Li, Tao
;
Wang BY(王宝义)
;
Cao XZ(曹兴忠)
;
Wang, Bao Yi
;
Cao, Xing Zhong
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/08/27
Effect of annealing process on the photoelectric properties and microstructure of sulfur-hyperdoped silicon
期刊论文
Defect and Diffusion Forum, 2016, 卷号: 373 DDF, 页码: 217-220
作者:
Liu, De Wei
;
Dai, Hai Yang
;
Xue, Ren Zhong
;
Chen, Zhen Ping
;
Cao, Xing Zhong
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/08/29
The effect of the boron-ions implantation on the performance of RADFETs
期刊论文
SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2016
Liu HongRui
;
Wang ShuaiMin
;
Zhang JinWen
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
dosimeters
PMOS RADFETs
implant dose
post-annealing temperature
real time auto-measurement system
radiation effects
RADIATION SENSITIVITY
PMOS DOSIMETERS
RAY-IRRADIATION
SILICON
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