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Improved performance of TiN/HfO2/Pt resistive switching device by modifying TiN top electrode crystal orientation 其他
2014-01-01
Hou, Y.; Liu, R.; Zhang, W.B.; Liu, L.F.; Chen, B.; Zhang, F.F.; Han, D.D.; Kang, J.F.; Cheng, Y.H.
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/10
Self-compliance multilevel resistive switching characteristics in TiN/HfOx/Al/Pt RRAM devices 其他
2013-01-01
Hou, Y.; Chen, B.; Gao, B.; Lun, Z.Y.; Xin, Z.; Liu, R.; Liu, L.F.; Han, D.D.; Wang, Y.; Liu, X.Y.; Kang, J.F.
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13
Multilevel Set/Reset Switching Characteristics in Al/CeOx/Pt RRAM Devices 其他
2012-01-01
Liu, L. F.; Hou, Y.; Yu, D.; Chen, B.; Gao, B.; Tian, Y.; Han, D. D.; Wang, Y.; Kang, J. F.; Zhang, X.
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13
Self-compliance unipolar resistive switching and mechanism of Cu/SiO 2/TiN RRAM devices 其他
2012-01-01
Yu, D.; Liu, L.F.; Huang, P.; Zhang, F.F.; Chen, B.; Gao, B.; Hou, Y.; Han, D.D.; Wang, Y.; Kang, J.F.; Zhang, X.
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13
Contract-based mutation for testing components 其他
2005-01-01
Jiang, Y; Hou, SS; Shan, JH; Zhang, L; Xie, B
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13
Computational investigation of velocity overshoot effects in double gate MOSFETs 其他
2004-01-01
Hou, D.Q.; Xia, Z.L.; Du, G.; Liu, X.Y.; Wang, Y.; Kang, J.F.; Han, R.Q.
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13
Selected topics on HfO2 gate dielectrics for future ULSI CMOS devices 其他
2004-01-01
Li, M.F.; Yu, H.Y.; Hou, Y.T.; Kang, J.F.; Wang, X.P.; Shen, C.; Ren, C.; Yeo, Y.C.; Zhu, C.X.; Chan, D.S.H.; Chin, Albert; Kwong, D.L.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13
Drive current scaling properties of GOI pmosfet in nano-scale 其他
2004-01-01
Du, G.; Liu, X.Y.; Xia, Z.L.; Hou, D.Q.; Kang, J.F.; Han, R.Q.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13
Thermally Robust High Quality HfN/HfO2 Gate Stack for Advanced CMOS Devices 其他
2003-01-01
Yu, H.Y.; Kang, J.F.; Chen, J.D.; Ren, C.; Hou, Y.T.; Whang, S.J.; Li, M.-F.; Chan, D.S.H.; Bera, K.L.; Tung, C.H.; Du, A.; Kwong, D.-L.
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