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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [2]
发表日期
2008 [1]
2004 [1]
2003 [3]
2002 [2]
2001 [3]
学科主题
半导体物理 [10]
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Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN
期刊论文
solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162
Zhang, Z
;
Zhang, R
;
Liu, B
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Han, R
;
Lu, H
;
Zheng, YD
;
Chen, YH
;
Tang, CG
;
Wang, ZG
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浏览/下载:67/2
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提交时间:2010/03/08
InN
photogalvanic
inter-band transition
Photoluminescence of Te isoelectronic centers in ZnS : Te under hydrostatic pressure
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2004, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 38-42
Fang, ZL
;
Su, FH
;
Ma, BS
;
Ding, K
;
Han, HX
;
Li, GH
;
Sou, IK
;
Ge, WK
收藏
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浏览/下载:101/22
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提交时间:2010/03/09
photoluminescence
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
会议论文
10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
OPTICAL-ABSORPTION
ZNS-TE
TRANSITION
EDGE
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2010/08/12
OPTICAL-ABSORPTION
ZNS-TE
TRANSITION
EDGE
Luminescence study of (11(2)over-bar0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 316-319
作者:
Han PD
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
MG-DOPED GAN
GALLIUM NITRIDE
PHASE EPITAXY
SUBSTRATE
LAYER
Photoluminescence from ZnS1-xTex alloys under hydrostatic pressure
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 8, 页码: art.no.085203
Fang ZL
;
Li GH
;
Liu NZ
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Ding K
;
Ge WK
;
Sou IK
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
ZNS-TE
ABSORPTION-EDGE
MIXED-CRYSTALS
ZINC-SULFIDE
THIN-FILMS
TRANSITION
EXCITONS
CENTERS
STRAINS
BAND
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in ZnS : Te
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 17, 页码: 3170-3172
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Li GH
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
HYDROSTATIC-PRESSURE
OPTICAL-ABSORPTION
BOUND EXCITONS
ZINC-SULFIDE
LUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
CRYSTALS
ALLOYS
Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2001, 卷号: 223, 期号: 1, 页码: 157-162
Li GH
;
Chen Y
;
Fung ZL
;
Ding K
;
Han HX
;
Zhou W
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:94/0
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提交时间:2010/08/12
HYDROSTATIC-PRESSURE
PHOTOLUMINESCENCE
GAAS
LUMINESCENCE
GROWTH
INSB
GASB
Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597
Tsang MS
;
Wang JN
;
Ge WK
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Chen Y
;
Han HX
;
Li LH
;
Pan Z
收藏
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浏览/下载:98/11
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提交时间:2010/08/12
GAINNAS ALLOYS
BAND-STRUCTURE
GAAS
NITROGEN
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
BEHAVIOR
MASS
Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots
会议论文
9th international conference on high pressure semiconductor physics (hpsp9), sapporo, japan, sep 24-28, 2000
Li GH
;
Chen Y
;
Fung ZL
;
Ding K
;
Han HX
;
Zhou W
;
Wang ZG
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
HYDROSTATIC-PRESSURE
PHOTOLUMINESCENCE
GAAS
LUMINESCENCE
GROWTH
INSB
GASB
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