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兰州理工大学 [2]
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期刊论文 [2]
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The controllable electronic characteristics and Schottky barrier of graphene/GaP heterostructure via interlayer coupling and in-plane strain
期刊论文
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, 2022, 卷号: 284
作者:
Lu, Xuefeng
;
Li, Lingxia
;
Guo, Xin
;
Ren, Junqiang
;
Xue, Hongtao
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提交时间:2022/08/09
Binding energy
Calculations
Gallium compounds
Graphene
Ground state
Heterojunctions
III-V semiconductors
Ohmic contacts
Schottky barrier diodes
Strain
Thermoelectric equipment
Van der Waals forces
Electronic characteristics
Graphene/GaP
In-plane strains
Interlayer coupling
Layer-spacing
Micro/nano
Nanoelectronic devices
P-type
Schottky barriers
Schottky contacts
Study of microstructure and mechanical properties of Cu/In-45Cu/SiC joints connected by ultrasonic-assisted TLP
期刊论文
Microelectronics Reliability, 2022, 卷号: 135
作者:
Yu, Weiyuan
;
Li, Binbin
;
Wu, Baolei
;
Wang, Fengfeng
;
Wang, Mingkang
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提交时间:2022/08/09
Binary alloys
Copper
Copper alloys
Indium alloys
Lead-free solders
Microstructure
Shear flow
Silicon carbide
Soldering
Temperature
Thermoelectric equipment
Wide band gap semiconductors
Composite solders
Electronics devices
In-45cu composite solder paste
Intermetallics compounds
Microstructures and mechanical properties
Service temperature
Shears strength
Solderpaste
Ultrasonic action time
Ultrasonic-assisted TLP
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