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科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2005 [2]
2004 [2]
2003 [3]
2002 [1]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
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Mn-including InAs quantum dots fabricated by Mn implantation
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2869-2873
Hu, LJ
;
Chen, YH
;
Ye, XL
;
Jiao, YH
;
Shi, LW
;
Wang, ZG
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/03/08
Mn-including
InAs quantum dots
PL
magnetic
Electrical and optical properties of InAs/GaAs quantum dots doped by high energy Mn implantation
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4930-4935
Hu LJ (Hu Liang-Jun)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Ye XL (Ye Xiao-Ling)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
ion implantation
Investigation of Mn-implanted n-Si by low-energy ion beam deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463
作者:
Yin ZG
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/17
auger electron spectroscopy
Gal(1-x)Mn(1-x)Sb grown on GaSb with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 272-275
Chen CL
;
Chen NF
;
Liu LF
;
Wu JL
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
收藏
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浏览/下载:51/21
  |  
提交时间:2010/03/17
X-ray diffraction
An Integratable Distributed Bragg Reflector Laser by Low-Energy Ion Implantation Induced Quantum Well Intermixing
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 894-897
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
;
Zhang Jing
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
Fabrication of GdSi2 film by low-energy ion-beam implantation
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 186-190
Li YL
;
Chen NF
;
Zhou JP
;
Song SL
;
Yang SY
;
Liu ZK
收藏
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浏览/下载:44/14
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提交时间:2010/03/09
scanning electron microscopy
(Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207
Zhang FQ
;
Chen NF
;
Liu XG
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Cha CL
收藏
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
ion beam epitaxy
semiconducting III-V materials
DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS
IMPLANTED GAN
FERROMAGNETISM
INJECTION
GAAS
MN
Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
Dong HW
;
Zhao YW
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
semi-insulating InP
ion implantation
silicon
annealing
activation
SI+-IMPLANTATION
PHOSPHIDE VAPOR
UNDOPED INP
FE
WAFERS
UNIFORMITY
PRESSURE
Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials
会议论文
11th seoul international symposium on the physics of semiconductors and applications, seoul, south korea, aug 20-23, 2002
Wang X
;
Chen M
;
Chen J
;
Wang X
;
Dong YN
;
Liu XH
;
He P
;
Tian LL
;
Liu ZL
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
SOI
nanostructure
microelectronic materials
(Ga,Mn,As) compounds grown on semi-insulating GaAs with mass-analyzed low energy dual ion beam depositionw
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 359-363
Yang JL
;
Chen NF
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Liao MY
;
He HJ
收藏
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浏览/下载:76/6
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
ion beam epitaxy
gallium arsenide
FILMS
FE
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