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半导体研究所 [20]
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Photoluminescence of cdse nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
Nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Fasoli, Andrea
;
Colli, Alan
;
Martelli, Faustino
;
Pisana, Simone
;
Tan, Ping Heng
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  |  
浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Cdse
Nanowires
Photoluminescence
Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
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  |  
浏览/下载:52/5
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提交时间:2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
Possible origin of ferromagnetism in undoped anatase TiO2
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: art. no. 092411
作者:
Li JB
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浏览/下载:71/34
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提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
ferromagnetic materials
magnetic moments
magnetic semiconductors
titanium compounds
vacancies (crystal)
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
收藏
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浏览/下载:217/56
  |  
提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation
期刊论文
high energy physics and nuclear physics-chinese edition, 2005, 卷号: 29, 期号: suppl.s, 页码: 37-39
Chen J
;
Wang JF
;
Zhang JC
;
Wang H
;
Huang Y
;
Wang YT
;
Yang H
;
Jia QJ
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
epitaxy lateral overgrowth
stacking faults
synchrotron radiation X-ray diffraction (XRD)
pole figure
WURTZITE GAN
LUMINESCENCE
Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362-4366
Lu, W
;
Li, DB
;
Li, CR
;
Shen, F
;
Zhang, Z
收藏
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浏览/下载:303/45
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提交时间:2010/03/09
CRITICAL LAYER THICKNESS
Photoluminescence of mg-doped gan grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
作者:
Qu, BZ
;
Zhu, QS
;
Sun, XH
;
Wan, SK
;
Wang, ZG
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
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浏览/下载:291/4
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提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of gan layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 653-657
作者:
Sun, XL
;
Yang, H
;
Zhu, JJ
;
Wang, YT
;
Chen, Y
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 653-657
Sun XL
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Chen Y
;
Li GH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:102/3
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提交时间:2010/08/12
GALLIUM NITRIDE
LUMINESCENCE
BULK
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