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A theoretical and experimental study on effect of growth time on self-catalyzed InAs nanowires
期刊论文
Applied Surface Science, 2020, 卷号: 518, 期号: 146174, 页码: 146174
作者:
Wang XY(王小耶)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2020/11/10
InAs nanowires Self-catalyzed growth MOCVD Kinetic growth process
Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7527-7531
作者:
Fu, Y. H.
;
Sun, X. J.
;
Ben, J. W.
;
Jiang, K.
;
Jia, Y. P.
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/09/17
GaN
MOCVD
Defects
V-Pits
raman-scattering
quantum-wells
nitrides
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305-1309
作者:
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Zhao, Z. J.
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/01/18
AlN
XPS
MOCVD
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Zhao, Z. J.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/12/29
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5
作者:
Liang, Feng
;
Chen, Ping
;
Zhao, De-Gang
;
Jiang, De-Sheng
;
Zhao, Zhi-Juan
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2017/01/23
AlN
electron affinity
photoelectron spectroscopy
metalorganic chemical vapor deposition
Forward kinematics of 3-RRR flexure parallel mechanism used in lens micro-adjustment
期刊论文
Guangxue Jingmi Gongcheng/Optics and Precision Engineering, 2016, 卷号: 24, 期号: 6
作者:
Zhao, L.
;
C. Liang
;
D.-F. Zhang
;
L.-J. Dong and H.-F. Peng
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/09/11
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/11
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhao, ZJ
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhao, ZJ
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/11
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2016, 卷号: 48, 期号: 12
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhao, ZJ
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2017/03/11
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