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科研机构
半导体研究所 [9]
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学科主题
光电子学 [9]
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学科主题:光电子学
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Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804
Lu GJ (Lu Guo-Jun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:110/2
  |  
提交时间:2010/04/22
metalorganic chemical vapor deposition
Al1-xInxN
gradual variation in composition
optical reflectance spectra
X-RAY-DIFFRACTION
PHASE EPITAXY
RELAXATION
FILMS
HETEROSTRUCTURES
SEPARATION
DYNAMICS
ALLOYS
REGION
LAYERS
Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer
会议论文
5th ieee international conference on group iv photonics, sorrento, italy, sep 17-19, 2008
作者:
Xue CL
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浏览/下载:52/0
  |  
提交时间:2010/03/09
SIGE/SI(100) EPITAXIAL-FILMS
Depth dependence of structural quality in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 516-519
作者:
Wang H
;
Wang YT
;
Wang LL
;
Yang H
;
Wang H
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浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/03/29
X-ray diffraction
Structural characterization of AlGaN/GaN superlattices by x-ray diffraction and Rutherford backscattering
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 137-143
Zhou SQ (Zhou Shengqiang)
;
Wu MF (Wu M. F.)
;
Yao SD (Yao S. D.)
;
Zhang BS (Zhang B. S.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2010/04/11
nitride semiconductors
superlattice
Rutherford backscattering/channeling
transmission electron microscopy
x-ray diffraction
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
OPTICAL-PROPERTIES
INGAN/GAN
STRAIN
INTERFACE
GROWTH
GAN
Depth dependent elastic strain in ZnO epilayer: combined Rutherford backscattering/channeling and X-ray diffraction
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2005, 卷号: 229, 期号: 2, 页码: 246-252
Feng ZX
;
Yao SD
;
Hou L
;
Jin RQ
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  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/03/17
rutherford backscattering/channeling
Structure and photoluminescence studies of Pr-implanted GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 267, 期号: 3-4, 页码: 400-404
Song SF
;
Chen WD
;
Su FH
;
Zhu JJ
;
Ding K
;
Hsu CC
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浏览/下载:65/22
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提交时间:2010/03/09
doping
Dependence of implantation-induced damage with photoluminescence intensity in GaN : Er
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 78-82
Song, SF
;
Chen, WD
;
Zhu, JJ
;
Hsu, CC
收藏
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浏览/下载:233/52
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提交时间:2010/03/09
defects
A study of the degree of relaxation of AlGaN epilayers on GaN template
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 289-294
Zhang JC
;
Wu MF
;
Wang JF
;
Liu JP
;
Wang YT
;
Chen J
;
Jin RQ
;
Yang H
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浏览/下载:158/53
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提交时间:2010/03/09
high resolution X-ray diffraction
X-ray-diffraction study of quasipseudomorphic ErSi1.7 layers formed by channeled ion-beam synthesis
期刊论文
journal of applied physics, 1996, 卷号: 80, 期号: 10, 页码: 5713-5717
Wu MF
;
Vantomme A
;
Pattyn H
;
Langouche G
;
Yang QQ
;
Wang QM
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浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/11/17
EPITAXIAL ERBIUM SILICIDE
RARE-EARTH SILICIDES
DIFFUSION MARKER EXPERIMENTS
THIN-FILMS
111 SI
ELECTRICAL-PROPERTIES
ATOMIC-STRUCTURE
IMPLANTED SI
YTTRIUM
GROWTH
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