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Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6
作者:
Gao, J.
;
Zhang, Q.
;
Xi, K.
;
Li, B.
;
Wang, C.
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2022/01/24
SEE
SEU
SOI SRAM
C
Proton and light ions induced SEU effect in a SOI SRAM with gold plated lid
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 5
作者:
Gao, J.
;
Zhang, Q.
;
Li, B.
;
Xi, K.
;
Li, B.
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/01/19
SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现
期刊论文
宇航学报, 2018, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 20-26
作者:
刘海南
;
韩郑生
;
邢龙
;
孟祥鹤
;
高见头
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/03/28
Back gate impact on SEU Characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM
会议论文
作者:
Gao JT(高见头)
;
Li BH(李彬鸿)
;
Huang Y(黄杨)
;
Li B(李博)
;
Zhao FZ(赵发展)
收藏
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2019/05/09
大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究
期刊论文
《航天器环境工程》, 2018, 卷号: 35, 页码: 462-467
作者:
余永涛[1] 陈毓彬[1] 水春生[1]
;
王小强[1] 冯发明[2]
;
费武雄[1]
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/04/22
单粒子效应 大容量SRAM
抗辐射加固 Bulk
CMOS工艺 SOI
CMOS工艺 重离子射程
A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM
会议论文
作者:
Yan, Weiwei
;
Wang, Bin
;
Zeng, Chuanbin
;
Geng, Chao
;
Liu, Tianqi
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2018/08/20
Heavy ion irradiation
Single event upset
Active delay element
SRAM cell
Radiation hardened
Silicon-on-insulator
A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 437-442
作者:
Wang, Bin
;
Zeng, Chuanbin
;
Geng, Chao
;
Liu, Tianqi
;
Khan, Maaz
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2018/05/31
Heavy ion irradiation
Single event upset
Active delay element
SRAM cell
Radiation hardened
Silicon-on-insulator
Impact of energy straggle on proton-induced single event upset test in a 65-nm SRAM cell
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 页码: 6
作者:
Ye, Bing
;
Liu, Jie
;
Wang, Tie-Shan
;
Liu, Tian-Qi
;
Luo, Jie
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/05/31
single event upset
energy straggle
proton irradiation
nanodevice
Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1-5
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Liu, MX (Liu, Mengxin)
;
Su, DD (Su, Dandan)
;
Zhou, H (Zhou, Hang)
收藏
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浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2017/12/05
Silicon-on-insulator
Total Ionizing Dose
Static Random Access Memory
Static Noise Margin
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