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2000 [3]
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Smooth and vertical etching of GaAs/GaInP/AlGaInP using inductively coupled Cl-2/BCl3/CH4 plasma
期刊论文
2010, 2010
Hao, ZB
;
Han, S
;
Ren, F
;
Xiong, B
;
Sun, CZ
;
Luo, Y
收藏
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浏览/下载:2/0
Photoluminescence study of algainp/gainp quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144
作者:
Lin, T.
;
Zheng, K.
;
Wang, C. L.
;
Ma, X. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Diffusion
Metalorganic vapor phase epitaxy
Semiconducting iii-v materials
Laser diodes
Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144
Lin, T
;
Zheng, K
;
Wang, CL
;
Ma, XY
收藏
  |  
浏览/下载:37/3
  |  
提交时间:2010/03/08
diffusion
metalorganic vapor phase epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
2007, 卷号: 309, 页码: 140-144
作者:
Lin, T.
;
Zheng, K.
;
Wang, C. L.
;
Ma, X. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/25
diffusion
metalorganic vapor phase epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
High-power algainp laser diodes with current-injection-free region near the laser facet
期刊论文
Optical engineering, 2006, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 3
作者:
Xu, Y
;
Li, YZ
;
Gan, QQ
;
Cao, Q
;
Song, GF
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Laser diodes
Algainp
Ridge waveguide
Current-injection-free region
High power red-light GaInP/AlGaInP laser diodes with nonabsorbing windows based on Zn diffusion-induced quantum well intermixing
期刊论文
chinese optics letters, 2006, 卷号: 4, 期号: 1, 页码: 27-29
作者:
Xin Wei
;
Jun Wang
;
Jun Wang
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
High-power AlGaInP laser diodes with current-injection-free region near the laser facet
期刊论文
optical engineering, 2006, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: art.no.034205
Xu Y
;
Li YZ
;
Gan QQ
;
Cao Q
;
Song GF
;
Guo L
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2010/04/11
laser diodes
AlGaInP
ridge waveguide
current-injection-free region
OPERATION
Low-threshold-current and high-out-power 660 nm laser diodes with a p-gaas current blocking layer for dvd-ram/r
期刊论文
Chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 2269-2272
作者:
Zheng, K
;
Ma, XY
;
Lin, T
;
Wang, J
;
Liu, SP
收藏
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Low-threshold-current and high-out-power 660 nm laser diodes with a p-GaAs current blocking layer for DVD-RAM/R
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 2269-2272
Zheng, K
;
Ma, XY
;
Lin, T
;
Wang, J
;
Liu, SP
;
Zhang, GZ
收藏
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浏览/下载:108/35
  |  
提交时间:2010/03/17
QUANTUM-WELL
Leakage current analysis in AlGaInP/GaInP multi-quantum well lasers by the electrical derivative method - art. no. 60202F
会议论文
conference on optoelectronic materials and devices for optical communications, shanghai, peoples r china, nov 07-10, 2005
Xu Y
;
Li YZ
;
Song GF
;
Gan QQ
;
Cao Q
;
Guo L
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:107/26
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提交时间:2010/03/29
AIGaInP laser diodes
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