×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
湖南大学 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2018 [1]
2017 [2]
2014 [1]
2011 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
专题:湖南大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Characterization of bulk traps and interface states in AlGaN/GaN heterostructure under proton irradiation
期刊论文
Applied Physics Letters, 2018, 卷号: Vol.112 No.23, 页码: 233504
作者:
Xue-Feng Zheng
;
Shuai-Shuai Dong
;
Peng Ji
;
Chong Wang
;
Yun-Long He
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Leakage Current and Low-Frequency Noise Analysis and Reduction in a Suspended SOI Lateral p-i-n Diode
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: Vol.64 No.10, 页码: 4252-4259
作者:
Li, GL
;
Kilchytska, V
;
Andre, N
;
Francis, LA
;
Zeng, Y
收藏
  |  
浏览/下载:83/0
  |  
提交时间:2019/12/31
P-i-n
diodes
Leakage
currents
Annealing
Performance
evaluation
Silicon
Optical
sensors
Silicon-on-insulator
Annealing
characterization
dark
leakage
current
interface
traps
low-frequency
noise
(LFN)
P⁺P⁻N⁺
(p-i-n)
diode
silicon
on
insulator
(SOI)
simulation
Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2017, 卷号: Vol.38 No.11, 页码: 1540-1542
作者:
Wan, D
;
Abliz, A
;
Su, M
;
Liu, CS
;
Jiang, CZ
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Indium tin oxide
Thin film transistors
Iron
1/f noise
Electron traps
Logic gates
Fluctuations
Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)
indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)
thin-film transistors (TFTs)
low-frequency noise (LFN)
1/f noise model
Evaluation of Shallow Biogenic Gas Accumulation Conditions and Potential Traps in Dongting Basin
期刊论文
Special Oil & Gas Reservoirs, 2014, 卷号: Vol.21 No.4, 页码: 17-21
作者:
Zhu Wei
;
Cao Zijian
;
Wang Hongyun
;
Jing Baoguo
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/31
shallow biogenic gas
trap evaluation
southern margin of the Huarong uplift
Dongting basin
EFFECT OF GRAIN BOUNDARY ON THE CHARACTERISTICS OF POLY-SI METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2011, 卷号: Vol.25 No.18, 页码: 2403-2410
作者:
Zhou, YM
;
He, YG
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2020/01/05
Photodetector
grain boundary
traps
spectral responsivity
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace