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期刊论文 [3]
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2017 [3]
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Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 页码: 1540-1542
作者:
Wan, Da
;
Abliz, Ablat
;
Su, Meng
;
Liu, Chuangsheng
;
Jiang, Changzhong
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/21
Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)
1/f noise model
thin-film transistors (TFTs)
indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)
low-frequency noise (LFN)
Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 期号: 11
作者:
Wan, Da
;
Abliz, Ablat
;
Su, Meng
;
Liu, Chuangsheng
;
Jiang, Changzhong
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)
indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)
thin-film transistors (TFTs)
low-frequency noise (LFN)
1/f noise model
Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2017, 卷号: Vol.38 No.11, 页码: 1540-1542
作者:
Wan, D
;
Abliz, A
;
Su, M
;
Liu, CS
;
Jiang, CZ
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Indium tin oxide
Thin film transistors
Iron
1/f noise
Electron traps
Logic gates
Fluctuations
Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)
indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)
thin-film transistors (TFTs)
low-frequency noise (LFN)
1/f noise model
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