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Direct Fluorination Induced Variation in Interface Discharge Behavior Between Polypropylene and Silicone Rubber Under AC Voltage
期刊论文
IEEE ACCESS, 2018, 卷号: Vol.6, 页码: 23907-23917
作者:
Gao, Y.a
;
Yuan, Y.a
;
Chen, L.b
;
Li, J.a
;
Huang, S.a
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/21
Polypropylene
silicone rubber
interface discharge
fluorination
surface roughness
trap depth
water contact angle
A Biopolymer Heparin Sodium Interlayer Anchoring TiO2 and MAPbI(3) Enhances Trap Passivation and Device Stability in Perovskite Solar Cells
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2018, 卷号: 30, 页码: e1706924
作者:
You, Shuai
;
Wang, Hui
;
Bi, Shiqing
;
Zhou, Jiyu
;
Qin, Liang
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/30
heparin sodium
interface modification
perovskites
stability
trap passivation
Atomic origin of the traps in memristive interface
期刊论文
Nano Research, 2017, 卷号: 10, 期号: 6, 页码: 1924-1931
作者:
Ye Tian
;
Lida Pan
;
Chuan Fei Guo
;
Qian Liu
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/24
memristance
interface
trap state
first principle calculation
Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer
期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737
作者:
Dai, Lihua
;
Bi, Dawei
;
Ning, Bingxu
;
Hu, Zhiyuan
;
Song, Lei
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2019/05/09
Buried oxide
Interface trap
Silicon ion implantation
Soi nmosfets
Total dose radiation
Oxidation precursor dependence of atomic layer deposited al2o3 films in a-si:h(i)/al2o3 surface passivation stacks
期刊论文
Nanoscale research letters, 2015, 卷号: 10, 期号: 1
作者:
Xiang,Yuren
;
Zhou,Chunlan
;
Jia,Endong
;
Wang,Wenjing
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2019/05/09
Atomic layer deposition
Al2o3
A-si:h(i)/al2o3 stack
Interface trap density
Impact of nitrogen plasma passivation on the interface of germanium MOS capacitor
期刊论文
chinese physics b, 2014
Yun Quan-Xin
;
Li Ming
;
An Xia
;
Lin Meng
;
Liu Peng-Qiang
;
Li Zhi-Qiang
;
Zhang Bing-Xin
;
Xia Yu-Xuan
;
Zhang Hao
;
Zhang Xing
;
Huang Ru
;
Wang Yang-Yuan
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/10
germanium
roughness
interface trap density
interfacial layer thickness
HYDROGEN
GE
DIELECTRICS
NITRIDATION
ROUGHNESS
OXIDATION
INSULATOR
A Comparative Study on the Impacts of Interface Traps on Tunneling FET and MOSFET
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2014
Qiu, Yingxin
;
Wang, Runsheng
;
Huang, Qianqian
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/10
Charge neutrality level (CNL)
high-kappa
interface trap
MOSFET
performance degradation
random trap fluctuation (RTF)
tunneling FET (TFET)
variability
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO_2/HfO_2 bilayer gate dielectrics
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014, 期号: 06, 页码: 36-41
作者:
Tao FF(陶芬芬)
;
Yang H(杨红)
;
Tang B(唐波)
;
Tang ZY(唐兆云)
;
Xu YF(徐烨锋)
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
HfO2
TDDB
SILC
bulk trap
interface trap
Unified Reaction-Diffusion Model for Accurate Prediction of Negative Bias Temperature Instability Effect
期刊论文
日本应用物理学杂志, 2012
Ma, Chenyue
;
Mattausch, Hans Juergen
;
Miyake, Masataka
;
Matsuzawa, Kazuya
;
Iizuka, Takahiro
;
Yamaguchi, Seiichiro
;
Hoshida, Teruhiko
;
Kinoshita, Akinari
;
Arakawa, Takahiko
;
He, Jin
;
Miura-Mattausch, Mitiko
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
NBTI DEGRADATION
TRAP GENERATION
P-MOSFETS
INTERFACE
A New Model for Two-Dimensional Electrical-Field-Dependent V-th Instability of pMOSFETs With Ultrathin DPN Gate Dielectrics
期刊论文
ieee electron device letters, 2011
Yang, Jiaqi
;
Yang, Jingfeng
;
Liu, X. Y.
;
Han, R. Q.
;
Kang, J. F.
;
Gan, Z. H.
;
Liao, C. C.
;
Wu, H. M.
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/11/10
Activation energy
hot-hole-related negative-bias temperature instability (HH-NBTI)
Si-H bond dissociation
2-D electrical field
BIAS TEMPERATURE INSTABILITY
INTERFACE-TRAP GENERATION
NBTI DEGRADATION
MECHANISM
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