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微电子研究所 [7]
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2018 [7]
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发表日期:2018
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Study of the Mechanisms and characteristics of Large-AreaHigh-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes
会议论文
作者:
Li CZ(李诚瞻)
;
Tang YD(汤益丹)
;
Dong SX(董升旭)
;
Bai Y(白云)
;
Yang CY(杨成樾)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/14
一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法
专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者:
彭朝阳
;
刘新宇
;
刘国友
;
李诚瞻
;
汤益丹
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/03/07
High Temperature 1MHz CapacitanceVoltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System
期刊论文
J. Appl. Phys., 2018
作者:
KeAn Liu
;
Peng CY(彭朝阳)
;
Wang SK(王盛凯)
;
Bai Y(白云)
;
Tang YD(汤益丹)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/04/19
1200V/100A 高温大电流 4H-SiC 器件的研制
期刊论文
半导体技术, 2018
作者:
李诚瞻
;
史晶晶
;
白云
;
董升旭
;
汤益丹
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/04/19
碳化硅MOSFET器件及其制作方法
专利
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者:
李诚瞻
;
汤益丹
;
申华军
;
白云
;
周静涛
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/03/07
一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法
专利
专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06
作者:
汤益丹
;
白云
;
李诚瞻
;
刘新宇
;
刘国友
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/03/07
SiC电力电子器件关键技术及应用
成果
2018
主要完成人:
汤益丹
;
刘可安
;
李诚瞻
;
冯淦
;
刘新宇
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/06/03
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