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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Wang C 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  i/p interface  Solar cells  OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  A-SI-H  P/I-INTERFACE  MICROCRYSTALLINE SILICON  VAPOR-DEPOSITION  FILMS  CAPACITANCE  EFFICIENCY  CRYSTALLINE  TEMPERATURE   Effect of Interface Bond Type on the Structure of InAs/GaSb Superlattices Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 116802 Li LG (Li Li-Gong); Liu SM (Liu Shu-Man); Luo S (Luo Shuai); Yang T (Yang Tao); Wang LJ (Wang Li-Jun); Liu FQ (Liu Feng-Qi); Ye XL (Ye Xiao-Ling); Xu B (Xu Bo); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/02/21 Behavioural investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 445306 Deng, QW; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Yin, HB; Chen, H; Lin, DF; Li, JM; Wang, ZG; Hou, X 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 QUANTUM DOTS  SOLAR-CELLS  GROWTH  FILMS  GAN   Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者:  Pan X;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  AL-CONTENT  STRESS-CONTROL  PHASE EPITAXY  ALGAN  BUFFER  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  INTERLAYERS  SILICON   Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  BAND-GAP  MG  PHOTOLUMINESCENCE  INGAN  DEPENDENCE  STRAIN  ENERGY  INN   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: art. no. 265103 作者:  Yin HB;  Lin DF;  Hou QF;  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：36/2  |  提交时间：2011/07/07 FUNDAMENTAL-BAND GAP  PHASE-SEPARATION  EFFICIENCY  INN  EMISSION  LAYERS  MODEL   Computational Investigation of InxGa1-xN/InN Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cell 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.18401 作者:  Deng QW;  Hou QF;  Bi Y;  Yin HB 收藏  |  浏览/下载：41/5  |  提交时间：2011/07/05 EFFICIENCY   Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104 作者:  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：47/5  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM-WELL-STRUCTURE  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE  YELLOW LUMINESCENCE  DEEP LEVELS  TRAP  PERFORMANCE  FREQUENCY  EPILAYERS  ORIGIN  DIODES   Properties investigation of GaN films implanted by Sm ions under different implantation and annealing conditions 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/07 GaN  Ferromagnetic  Implantation  Annealing