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Si Nanowire Biosensors Using a FinFET Fabrication Process for Real Time Monitoring Cellular Ion Actitivies 会议论文
2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2018-01-01
作者:  Zhang, Qingzhu;  Tu, Hailing;  Yin, Huaxiang;  Wei, Feng;  Zhao, Hongbin
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/03
FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文
作者:  Wu ZH(吴振华);  Luo J(罗军);  Meng LK(孟令款);  Zhang QZ(张青竹);  Li YD(李昱东)
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/05/19
SUB-FIN SOLID SOURCE DOPING IN THE 14NM AND SUB-14 FINFET DEVICE 会议论文
China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2016-01-01
作者:  Yan, Wen[1];  Zhou, Fei[2];  Wei, Chengqing[3];  Zhao, Hai[4];  Xu, CanYang[5]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/26
A FAST 3-D TCAD STRUCTURE GENERATION METHOD FOR FINFET DEVICES AND CIRCUITS SIMULATION 会议论文
作者:  Gu, Yuwei;  Wei, Chengqing;  Zhang, Guohe;  Shi, Xuejie
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/02
OPTIMIZATION OF STI OXIDE RECESS UNIFORMITY FOR FINFET BEYOND 20NM 会议论文
China Semiconductor Technology International Conference, 2015-01-01
作者:  Du, Lijuan[1];  Zhao, Hai[2];  Yang, Weiguang[3];  Yang, Rex[4];  Chen, Larry[5]
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/26
Accelerated 3D Full Band Self-consistent Ensemble Monte Carlo Device Simulation Utilizing Intel MIC co-processors on TianHe II 会议论文
18TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON COMPUTATIONAL ELECTRONICS (IWCE 2015), 2015-01-01
作者:  Yin, Longxiang;  Fang, Minquan;  Zeng, Lang;  Zhang, LiLun;  Dut, Gang
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/06
倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响的研究 会议论文
作者:  朱慧珑;  张珂珂;  刘云飞;  尹海洲
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/10/30
高K介质在新型电子器件中应用进展 会议论文
第十四届全国电介质物理、材料与应用学术会议, 武汉, 2012-11-02
作者:  黄安平;  郑晓虎;  肖志松;  王玫
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/06
Characteristics Sensitivity of FinFET to Fin Vertical Nonuniformity 会议论文
NSTI Nanotechnology Conference and Expo, 2011-06-13
作者:  Xu, Jiaojiao[1];  Ma, Chenyue[2];  Zhang, Chenfei[3];  Zhang, Xiufang[4];  Wu, Wen[5]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/30
A novel approach to simulate Fin-width Line Edge Roughness effect of FinFET performance 会议论文
2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2010, 2010-12-15
作者:  Guo, Xinjie[1];  Wang, Shaodi[2];  Ma, Chenyue[3];  Zhang, Chenfei[4];  Lin, Xinnan[5]
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/30

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