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Bias dependence of total ionizing dose effects in 22 nm bulk nFinFETs 期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 177, 期号: 3-4, 页码: 372-382
作者:  Cui, X (Cui, Xu) [1] , [2] , [3];  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei) [1] , [2] , [3];  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen) [1] , [2] , [3];  Wei, Y (Wei, Ying) [1] , [2] , [3];  Li, YD (Li, Yu-Dong) [1] , [2] , [3]
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/06/21
An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 8
作者:  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Wu, Zhenyu;  Cai, Chang;  Zhao, Peixiong
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/12/13
TCAD  FinFET  SCR  SEL  
22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  王保顺
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/11/19
A FinFET with one atomic layer channel 期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 卷号: 11
作者:  Chen, Mao-Lin;  Sun, Xingdan;  Liu, Hang;  Wang, Hanwen;  Zhu, Qianbing
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/11/23
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388
作者:  王保顺;  崔江维;  郑齐文;  席善学;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/11/17
TID Response of Bulk Si PMOS FinFETs: Bias, Fin Width, and Orientation Dependence 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1320-1325
作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan)[ 1 ];  An, X (An, Xia)[ 1 ];  Li, GS (Li, Gensong)[ 1 ];  Chen, G (Chen, Gong)[ 1 ];  Li, M (Li, Ming)[ 1 ]
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/09/09
SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA 期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12
作者:  Cai, Chang;  Gao, Shuai;  Zhao, Peixiong;  Yu, Jian;  Zhao, Kai
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2022/01/19
面向16/14nm节点高性能P-FinFET锗硅源漏集成工艺与器件特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者:  秦长亮
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/09/05
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410707178.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-06-22
作者:  钟汇才;  罗军;  赵超;  朱慧珑
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/03/26
一种FINFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410573220.3, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-05-18
作者:  刘云飞;  尹海洲
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/03/22

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