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The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY
收藏  |  浏览/下载：58/3  |  提交时间：2011/07/05
GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer 期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:  Wei HY;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1) 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
Wei, M; Wang, XL; Pan, X; Xiao, HL; Wang, CM; Hou, QF; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06
Quantitative surface enhanced Raman scattering detection based on the "sandwich" structure substrate 期刊论文
spectrochimica acta part a-molecular and biomolecular spectroscopy, 2011, 卷号: 79, 期号: 3, 页码: 625-630
作者:  Tang AW
收藏  |  浏览/下载：83/5  |  提交时间：2011/07/15
A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE 期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356
作者:  Wei HY;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：139/13  |  提交时间：2010/04/22
IN-PLANE OPTICAL ANISOTROPY OF STRAINED WURTZITE GaN IN THE A- AND R-PLANES 期刊论文
international journal of modern physics b, 2010, 卷号: 24, 期号: 27, 页码: 5439-5450
作者:  Hao GD
收藏  |  浏览/下载：49/5  |  提交时间：2011/07/05
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Zhang ML;  Hou QF
收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:  Zhao J
收藏  |  浏览/下载：46/4  |  提交时间：2011/07/05
The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure 期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781
Guo, LC; Wang, XL; Wang, CM; Mao, HL; Ran, JX; Luo, WJ; Wang, XY; Wang, BZ; Fang, CB; Hu, GX
收藏  |  浏览/下载：94/1  |  提交时间：2010/03/08
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films 期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B; Zhang, R; Xie, ZL; Xiu, XQ; Li, L; Kong, JY; Yu, HQ; Han, P; Gu, SL; Shi, Y; Zheng, YD; Tang, CG; Chen, YH; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：48/2  |  提交时间：2010/03/08

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