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Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113
Jin, L; Zhou, HY; Qu, SC; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2012/02/06
Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者:  Xu B;  Jin P;  Ye XL
收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2011/07/05
Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs 期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
Jiao YH (Jiao Y. H.); Wu J (Wu J.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Hu LJ (Hu L. J.); Liang LY (Liang L. Y.); Ren YY (Ren Y. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2010/04/11
Formation of ferromagnetic clusters in GaAs matrix and GaAs/AlGaAs superlattice through Mn ion implantation at two different temperatures 期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 12-17
Wang CH; Chen YH; Yu G; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：263/86  |  提交时间：2010/03/09
Controllable growth of semiconductor nanometer structures 期刊论文
microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382
Wang ZG; Wu J
收藏  |  浏览/下载：289/9  |  提交时间：2010/08/12
Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 19-25
Qu BZ; Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XG; Wang XH; Wang D; Zhu QS; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12
Structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots on a different seed layer with a thin GaAs spacer layer 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 49-54
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12
The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63
作者:  Xu B;  Jin P;  Li CM;  Ye XL
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12
Structure and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots with In0.15Ga0.85As underlying layer 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 395-400
作者:  Xu B;  Ye XL
收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12
Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308
作者:  Xu B;  Li CM;  Jin P;  Ye XL;  Li DB
收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2010/08/12

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