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内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2017 [8]
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共8条,第1-8条
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发表日期:2017
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10
15
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25
30
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55
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65
70
75
80
85
90
95
100
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题名升序
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发表日期升序
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提交时间降序
Cryogenic characterization of fbk rgb-hd sipms
期刊论文
Journal of instrumentation, 2017, 卷号: 12, 页码: 11
作者:
Aalseth, C. E.
;
Acerbi, F.
;
Agnes, P.
;
Albuquerque, I. F. M.
;
Alexander, T.
收藏
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2019/04/23
Cryogenic detectors
Photon detectors for uv
Visible and ir photons (solid-state)
Photon detectors foruv
Visible and ir photons (solid-state) (pin diodes, apds, si-pmts, g-apds, ccds, ebccds, emccds ,etc)
Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector
期刊论文
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2017, 卷号: 139, 期号: 10, 页码: 11-16
作者:
Sun, J (Sun Jing)[ 1,2 ]
;
Guo, Q (Guo Qi)[ 1 ]
;
Yu, X (Yu Xin)[ 1,2 ]
;
He, CF (He Cheng-Fa)[ 1 ]
;
Shi, WL (Shi Wei-Lei)[ 1 ]
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2019/07/10
Displacement damage
NIEL
P-i-n photodiode
Damage enhancement factor
Fully- and Quasi-Vertical GaN-on-Si p-i-n Diodes: High Performance and Comprehensive Comparison
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 809-815
作者:
Zhang, Xu
;
Zou, Xinbo
;
Lu, Xing
;
Tang, Chak Wah
;
Lau, Kei May
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/11/26
GaN-on-Si
power switching
high breakdown voltage
low ON-resistance
fully-vertical p-i-n diodes
Baliga figure of merit (FOM)
quasi-vertical diodes
Black phosphorus nanostructures: recent advances in hybridization, doping and functionalization
期刊论文
CHEMICAL SOCIETY REVIEWS, 2017
Lei, Wanying
;
Liu, Gang
;
Zhang, Jin
;
Liu, Minghua
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/12/03
TRANSITION-METAL DICHALCOGENIDES
NANOSHEET-BASED COMPOSITES
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SODIUM-ION BATTERIES
P-N DIODE
TRANSPORT-PROPERTIES
DOPED PHOSPHORENE
BAND-GAP
HETEROJUNCTION
MOS2
Bidirectional electroluminescence from p-SnO2/i-MgZnO/n-ZnO heterojunction light-emitting diodes
期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2017, 卷号: 186
作者:
Yang, Yanqin
;
Li, Songzhan
;
Liu, Feng
;
Zhang, Nangang
;
Liu, Kan
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/05
SnO2
ZnO
Electroluminescence
Bidirectional
Energy band structures
Multiple-Wavelength Detection in SOI Lateral PIN Diodes with Backside Reflectors
期刊论文
IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2017, 卷号: Vol.64 No.9, 页码: 7368-7376
作者:
Li, G.
;
Andre, N.
;
Gerard, P.
;
Ali, S.Z.
;
Udrea, F.
收藏
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浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Backside
reflector
black
silicon
light
detection
local
annealing
multiple
wavelength
optical
sensor
P-I-N
diode
silicon-on-insulator
(SOI)
Leakage Current and Low-Frequency Noise Analysis and Reduction in a Suspended SOI Lateral p-i-n Diode
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: Vol.64 No.10, 页码: 4252-4259
作者:
Li, GL
;
Kilchytska, V
;
Andre, N
;
Francis, LA
;
Zeng, Y
收藏
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浏览/下载:83/0
  |  
提交时间:2019/12/31
P-i-n
diodes
Leakage
currents
Annealing
Performance
evaluation
Silicon
Optical
sensors
Silicon-on-insulator
Annealing
characterization
dark
leakage
current
interface
traps
low-frequency
noise
(LFN)
P⁺P⁻N⁺
(p-i-n)
diode
silicon
on
insulator
(SOI)
simulation
Multiple-Wavelength Detection in SOI Lateral PIN Diodes With Backside Reflectors
期刊论文
IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2017, 卷号: Vol.64 No.9, 页码: 7368-7376
作者:
Li, GL
;
Andre, N
;
Gerard, P
;
Ali, SZ
;
Udrea, F
收藏
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浏览/下载:90/0
  |  
提交时间:2019/12/31
PIN photodiodes
Silicon
Optical sensors
Annealing
Light emitting diodes
Substrates
Backside reflector
black silicon
light detection
local annealing
multiple wavelength
optical sensor
P-I-N diode
silicon-on-insulator (SOI)
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